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IXTP3N120

更新时间： 2024-11-04 21:54:23

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4页	104K
描述
High Voltage Power MOSFETs

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IXTP3N120 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	3.86	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	700 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	1200 V
最大漏极电流 (ID)：	3 A	最大漏源导通电阻：	4.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	12 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTP3N120 数据手册

V_DSS

I_D25

R_DS(on)

High Voltage

IXTA/IXTP3N120

IXTA/IXTP3N110

1200 V 3 A 4.5 Ω

1100 V 3 A 4.0 Ω

Power MOSFETs

N-ChannelEnhancementMode

AvalancheRated,Highdv/dt

PreliminaryDataSheet

Symbol

V_DSS

TestConditions

Maximum Ratings

TO-220 (IXTP)

T_J= 25°C to 150°C

3N120

3N110

1200

1100

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

3N120

1200

1100

3N110

D (TAB)

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

V_GSM

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

TO-263(IXTA)

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

D (TAB)

700

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

V/ns

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

G = Gate

= Drain

S = Source

TAB = Drain

P_D

T_C= 25°C

150

T_J

-55 to +150

150

°C

T_JM

T_stg

Features

-55 to +150

International standard packages

Low R_{DS (on)}

T_L

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

Mounting torque (TO-220)

300

°C

Rated for unclamped Inductive load

Switching (UIS)

M_d

1.13/10 Nm/lb.in.

Molding epoxies meet UL 94 V-0

flammability classification

Weight

TO-220

TO-263

Advantages

Symbol

V_DSS

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Easy to mount

min.

typ.

max.

Space savings

High power density

V_GS= 0 V, I_D= 1 mA

3N120

3N110

1200

1100

V_GS(th)

I_GSS

V_DS= V_GS, I_D= 250 µA

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

2.5

4.5

±100

I_DSS

V_DS= 0.8 V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

µA

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Note 1

3N120

3N110

4.5

4.0

Ω

98844A (11/01)

12 3 4

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IXTP3N120 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFP3N120	IXYS	类似代替	HiPerFET Power MOSFETs
IXFA3N120	IXYS	功能相似	HiPerFET Power MOSFETs
IXTH3N120	IXYS	功能相似	High Voltage Power MOSFETs

与IXTP3N120相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTP3N50D2	IXYS	获取价格	Depletion Mode MOSFET
IXTP3N50D2	LITTELFUSE	获取价格	不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电
IXTP3N50P	IXYS	获取价格	PolarHV Power MOSFET
IXTP3N60P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 600V, 2.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IXTP3N60P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTP3N80	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 800V V(BR)DSS \| 3A I(D) \| TO-220AB
IXTP3N80A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 800V V(BR)DSS \| 3A I(D) \| TO-220AB
IXTP3N90	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 900V V(BR)DSS \| 3A I(D) \| TO-220AB
IXTP3N90A	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTP3P45	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 450V V(BR)DSS \| 3A I(D) \| TO-220

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