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IXFA4N85X

更新时间： 2024-02-02 15:51:26

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IXYS		/
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5页	248K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXFA4N85X 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.74
Base Number Matches：	1

IXFA4N85X 数据手册

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Advance Technical Information

X-Class HiPERFET

Power MOSFET

V_DSS= 850V

I_D25= 3.5A

R_DS(on) 2.5

IXFY4N85X

IXFA4N85X

IXFP4N85X

N-Channel Enhancement Mode

TO-252 (IXFY)

G

S

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

D (Tab)

T_J= 25C to 150C

850

850

V

V

TO-263 (IXFA)

V_DGR

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

30

40

V

V

G

S

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

3.5

A

A

D (Tab)

10.0

TO-220 (IXFP)

I_A

T_C= 25C

T_C= 25C

2

A

E_AS

125

mJ

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

T_C= 25C

50

V/ns

W

G

D

S

150

D (Tab)

T_J

-55 ... +150

150

C

C

C

T_JM

T_stg

G = Gate

D

= Drain

S = Source

Tab = Drain

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

°C

Features

F_C

M_d

Mounting Force (TO-263)

Mounting Torque (TO-220)

10.65 / 2.2..14.6

1.13 / 10

N/lb

Nm/lb.in



International Standard Packages

Low R_DS(ON)and Q_G

Avalanche Rated







Weight

TO-252

TO-263

TO-220

0.35

2.50

3.00

g

g

g

Low Package Inductance

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



High Power Density

Easy to Mount

Space Savings

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.



BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

850

V



3.0

5.5

V

Applications

100 nA

A



I_DSS

5

Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

DC-DC Converters

PFC Circuits

AC and DC Motor Drives

T_J= 125C

500 A





R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 2A, Note 1

2.5 





Robotics and Servo Controls

DS100768(12/16)

© 2016 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved

12 3 4 5

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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