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IXFA60N25X3

更新时间： 2024-11-06 14:56:55

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		开关栅栅极
页数	文件大小	规格书
7页	313K
描述
超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘以栅极电荷），最大限度地降低传导和开关损耗。该系列产品表现出业内最低的导通电阻。凭借较低的反向恢复电荷

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X3-Class HiPerFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 250V

I_D25= 60A

R_DS(on) 23m

IXFA60N25X3

IXFP60N25X3

IXFQ60N25X3

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

TO-263

(IXFA)

D (Tab)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-220

(IXFP)

T_J= 25C to 150C

250

V_DGR

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

D (Tab)

210

TO-3P

(IXFQ)

I_A

T_C= 25C

E_AS

700

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

T_C= 25C

V/ns

D (Tab)

320

T_J

-55 ... +150

150

C

G = Gate

S = Source Tab = Drain

= Drain

T_JM

T_stg

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

Features

F_C

M_d

Mounting Force (TO-263)

Mounting Torque (TO-220 & TO-3P)

10..65 / 2.2..14.6

1.13 / 10

N/lb

Nm/lb.in



International Standard Packages

Low R_DS(ON)and Q_G

Avalanche Rated

Low Package Inductance



Weight

TO-263

TO-220

TO-3P

2.5

3.0

5.5



Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



High Power Density

Easy to Mount

Space Savings

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.



BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 1.5mA

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

250



2.5

4.5

Applications

100 nA

A



I_DSS

Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

DC-DC Converters

PFC Circuits

AC and DC Motor Drives

T_J= 125C

500 A



R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

23 m



Robotics and Servo Controls

DS100807D(8/19)

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IXFA72N20X3	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
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IXFA72N30X3	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFA76N15T2	IXYS	获取价格	TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
IXFA76N15T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXFA7N100P	IXYS	获取价格	Polar HiPerFET Power MOSFET
IXFA7N100P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 1000V, 1.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IXFA7N100P-TRL	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,

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