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IXFA5N100P

更新时间： 2024-11-05 11:13:59

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描述
Polar Power MOSFET HiPerFET

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IXFA5N100P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	TO-263, 3 PIN	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	8.3
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	300 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	1000 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5 A
最大漏极电流 (ID)：	5 A	最大漏源导通电阻：	2.8 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	250 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	10 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFA5N100P 数据手册

Preliminary Technical Information

Polar^TMPower MOSFET

IXFA5N100P

IXFH5N100P

IXFP5N100P

V_DSS= 1000V

I_D25= 5A

R_DS(on)≤ 2.8Ω

HiPerFET^TM

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

TO-263 (IXFA)

(TAB)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

1000

TO-247 (IXFH)

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±30

±40

(TAB)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

I_A

T_C= 25°C

TO-220 (IXFP)

E_AS

300

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

250

T_J

-55 ... +150

150

°C

(TAB)

T_JM

T_stg

-55 ... +150

G = Gate

S = Source

= Drain

TAB = Drain

T_L

1.6mm (0.062) from case for 10s

Plastic body for 10s

300

260

°C

T_SOLD

Features

M_d

Mounting torque

(TO-220,TO-247)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

^zInternational standard packages

^zDynamic dv/dt Rating

^zAvalanche Rated

^zLow R_DS(ON), rugged Polar^TMprocess

^zLow Q_G

^zLow Drain-to-Tab capacitance

^zLow package inductance

Weight

TO-263

TO-220

TO-247

2.5

3.0

6.0

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Advantages

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

Easy to mount

Space savings

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= ±30V, V_DS= 0V

1000

3.0

6.0

Applications:

±100 nA

^zDC-DC converters

^zBattery chargers

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

10 μA

750 μA

^zSwitched-mode and resonant-mode

power supplies

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

2.8

^zUninterrupted power supplies

^zAC motor control

^zHigh speed power switching

applications

DS99923(07/08)

12 3 4

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与IXFA5N100P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFA5N50P3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXFA5N50P3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFA60N25X3	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFA6N120P	IXYS	获取价格	Polar HiPerFET Power MOSFET
IXFA6N120P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFA72N20X3	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFA72N30X3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFA72N30X3	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFA76N15T2	IXYS	获取价格	TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
IXFA76N15T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能

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