IXFA3N80

更新时间： 2024-01-22 14:23:11

品牌	Logo	应用领域
IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
2页	97K
描述
HiPerFET Power MOSFETs

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXFA3N80 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	400 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	800 V	最大漏极电流 (ID)：	3.6 A
最大漏源导通电阻：	3.6 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	14.4 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFA3N80 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

IXFA 3N80 V_DSS

IXFP 3N80 I_D25

= 800 V

= 3.6 A

R_DS(on)= 3.6 W

N-ChannelEnhancementMode

Avalanche Rated, Low Q_g, Highdv/dt

t_rr£ 250 ns

Preliminarydatasheet

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-220(IXFP)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

800

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MW

D (TAB)

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

V_GSM

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

3.6

14.4

3.6

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

TO-263(IXFA)

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

400

D (TAB)

dv/dt

I_S£ I_DM, di/dt £ 100 A/ms, V_DD£ V_DSS

T_J£ 150°C, R_G= 2 W

V/ns

G = Gate

S = Source

= Drain

P_D

T_C= 25°C

100

TAB = Drain

T_J

-55 to +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 to +150

Features

T_L

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

Mounting torque (TO-220)

300

°C

^lInternational standard packages

^lLow R_{DS (on)}

^lRated for unclamped Inductive load

M_d

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-220

TO-263

Switching (UIS)

Advantages

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Easy to mount

min.

typ.

max.

Space savings

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 1 mA

V_DS= V_GS, I_D= 1 mA

800

2.5

High power density

V_GS(th)

4.5

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

3.6

Pulse test, t £ 300 ms, duty cycle d £ 2 %

98746 (09/00)

中文翻译

下载PDF

IXFA3N80 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTP4N80P	IXYS	功能相似	PolarHV Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTA4N80P	IXYS	功能相似	PolarHV Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

与IXFA3N80相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFA44N25X3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFA4N100P	IXYS	获取价格	Polar HiPerFET Power MOSFET
IXFA4N100P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFA4N100Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFA4N100Q_11	IXYS	获取价格	HiperFET Power MOSFETs Q-Class
IXFA4N100QSN	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1000V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
IXFA4N100Q-TRL	IXYS	获取价格	MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263
IXFA4N60P3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFA4N60P3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IXFA4N85X	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,

与IXFA3N80相关文章

解读BAV99LT1数据手册：产品特性、电气参数及替换型号推荐
2024-06-18

1
资料解析：P82B96TD引脚图说明、电气参数
2024-06-18

1
ATA6621N数据手册解读：产品特性、引脚图信息、电气参数
2024-06-18

4
一文AO3400引脚图、参数、产品特性
2024-06-18

2

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFA3N80

IXFA3N80 技术参数

IXFA3N80 数据手册

IXFA3N80 替代型号

与IXFA3N80相关器件

与IXFA3N80相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFA3N80

IXFA3N80 技术参数

IXFA3N80 数据手册

IXFA3N80 替代型号

与IXFA3N80相关器件

与IXFA3N80相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？