IXFA3N80

更新时间： 2024-11-05 02:59:47

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
HiPerFET Power MOSFETs

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IXFA3N80 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	D2PAK	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	400 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	800 V	最大漏极电流 (ID)：	3.6 A
最大漏源导通电阻：	3.6 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	14.4 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFA3N80 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

IXFA 3N80 V_DSS

IXFP 3N80 I_D25

= 800 V

= 3.6 A

R_DS(on)= 3.6 W

N-ChannelEnhancementMode

Avalanche Rated, Low Q_g, Highdv/dt

t_rr£ 250 ns

Preliminarydatasheet

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-220(IXFP)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

800

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MW

D (TAB)

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

V_GSM

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

3.6

14.4

3.6

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

TO-263(IXFA)

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

400

D (TAB)

dv/dt

I_S£ I_DM, di/dt £ 100 A/ms, V_DD£ V_DSS

T_J£ 150°C, R_G= 2 W

V/ns

G = Gate

S = Source

= Drain

P_D

T_C= 25°C

100

TAB = Drain

T_J

-55 to +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 to +150

Features

T_L

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

Mounting torque (TO-220)

300

°C

^lInternational standard packages

^lLow R_{DS (on)}

^lRated for unclamped Inductive load

M_d

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-220

TO-263

Switching (UIS)

Advantages

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Easy to mount

min.

typ.

max.

Space savings

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 1 mA

V_DS= V_GS, I_D= 1 mA

800

2.5

High power density

V_GS(th)

4.5

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

3.6

Pulse test, t £ 300 ms, duty cycle d £ 2 %

98746 (09/00)

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTP4N80P	IXYS	功能相似	PolarHV Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTA4N80P	IXYS	功能相似	PolarHV Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

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IXFA4N100P	IXYS	获取价格	Polar HiPerFET Power MOSFET
IXFA4N100P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFA4N100Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFA4N100Q_11	IXYS	获取价格	HiperFET Power MOSFETs Q-Class
IXFA4N100QSN	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1000V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
IXFA4N100Q-TRL	IXYS	获取价格	MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263
IXFA4N60P3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFA4N60P3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
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