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IXFA4N100P

更新时间： 2024-01-07 13:17:51

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描述
Polar HiPerFET Power MOSFET

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IXFA4N100P 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.69
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	700 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	1000 V	最大漏极电流 (ID)：	4 A
最大漏源导通电阻：	3 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	16 A
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFA4N100P 数据手册

Polar^TMHiPerFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 1000V

I_D25= 4A

R_DS(on)≤ 3.3Ω

IXFA4N100P

IXFP4N100P

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Rectifier

TO-263 AA (IXFA)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

1000

D (Tab)

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

TO-220AB (IXFP)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

I_A

T_C= 25°C

D (Tab)

= Drain

E_AS

200

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

G = Gate

150

S = Source

Tab = Drain

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

Features

T_L

T_sold

1.6mm (0.062in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10 Seconds

300

260

°C

International Standard Packages

Low R_DS(on)and Q_G

Avalanche Rated

Low Package Inductance

Fast Intrinsic Rectifier

F_C

M_d

Mounting Force (TO-263)

Mounting Torque (TO-220)

10.65 / 2.2..14.6

1.13 / 10

Nm/lb.in.

Weight

TO-263

TO-220

2.5

3.0

Advantages

High Power Density

Easy to Mount

Space Savings

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min. Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= ± 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

1000

3.0

6.0

Applications

±100 nA

Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

DC-DC Converters

Laser Drivers

AC and DC Motor Drives

I_DSS

10 μA

T_J= 125°C

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Notes 1

750 μA

R_DS(on)

3.3

Robotics and Servo Controls

DS99921A(7/10)

12 3 4

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