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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.69 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 700 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 1000 V | 最大漏极电流 (ID)： | 4 A |
| 最大漏源导通电阻： | 3 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 16 A |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IXFT4N100Q | IXYS |
功能相似  |
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
|
| IXFP4N100P | IXYS |
完全替代 |
Polar HiPerFET Power MOSFET |
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| IXFA4N100Q | IXYS |
类似代替 |
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFA4N100Q | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
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| IXFA4N100Q_11 | IXYS |
获取价格 |
HiperFET Power MOSFETs Q-Class |
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| IXFA4N100QSN | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1000V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
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| IXFA4N100Q-TRL | IXYS |
获取价格 |
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263 |
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| IXFA4N60P3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| IXFA4N60P3 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| IXFA4N85X | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFA4N85X | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFA50N20X3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘 |
|
| IXFA56N30X3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘 |
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