IXFT4N100Q

更新时间： 2024-01-07 17:43:59

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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4页	90K
描述
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

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IXFT4N100Q 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	700 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	1000 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4 A
最大漏极电流 (ID)：	4 A	最大漏源导通电阻：	3 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-268AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	150 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	16 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFT4N100Q 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

Q-Class

IXFH 4N100Q V_DSS

IXFT 4N100Q I_D25

= 1000 V

4 A

R_DS(on)= 3.0 W

t_rr£ 250 ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated, Low Q_g, High dv/dt

Preliminary Data Sheet

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

TO-247 AD (IXFH)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

1000

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MW

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

(TAB)

V_GSM

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

TO-268 (D3) ( IXFT)

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

E_AR

T_C= 25°C

700

E_AS

(TAB)

dv/dt

I_S£ I_DM, di/dt £ 100 A/ms, V_DD£ V_DSS

T_J£ 150°C, R_G= 2 W

V/ns

G = Gate

S = Source

= Drain

P_D

T_C= 25°C

150

TAB = Drain

T_J

-55 to +150

°C

T_JM

T_stg

150

-55 to +150

T_L

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

Mountingtorque

300

°C

M_d

1.13/10

Nm/lb.in.

Features

Weight

TO-247

TO-268

• IXYS advanced low Q_gprocess

• Low gate charge and capacitances

- easier to drive

- faster switching

• Internationalstandardpackages

• Low R_{DS (on)}

• UnclampedInductiveSwitching(UIS)

rated

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min.

typ.

max.

• MoldingepoxiesmeetUL94V-0

flammabilityclassification

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 1 mA

V_DS= V_GS, I_D= 1.5 mA

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

1000

3.0

5.0

±100

Advantages

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

• Easy to mount

• Space savings

• Highpowerdensity

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Pulse test, t £ 300 ms, duty cycle d £ 2 %

3.0

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

98648A(03/24/00)

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IXFT4N100Q 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFP4N100P	IXYS	功能相似	Polar HiPerFET Power MOSFET
IXFA4N100P	IXYS	功能相似	Polar HiPerFET Power MOSFET
IXFA4N100Q	IXYS	功能相似	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

与IXFT4N100Q相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFT50N20	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFT50N30Q3	IXYS	获取价格	HiperFETTM Power MOSFETs Q3-Class
IXFT50N50P3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFT50N50P3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFT50N60P3	IXYS	获取价格	Polar3 HiperFET Power MOSFET
IXFT50N60P3	LITTELFUSE	获取价格	PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的
IXFT50N60P3-TRL	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFT50N60X	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFT50N60X	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFT50N85XHV	LITTELFUSE	获取价格	采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通

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