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IXFT68N20

更新时间： 2024-01-03 19:10:48

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2页	135K
描述
HIPERFET POWER MOSFETs

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IXFT68N20 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.76	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	68 A	最大漏极电流 (ID)：	68 A
最大漏源导通电阻：	0.035 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-268AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	360 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	272 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFT68N20 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

V_DSSI_D25R_DS(on)

IXFH/IXFT68N20

IXFH/IXFT74N20

200 V 68 A 35 mW

200 V 74 A 30 mW

t_rr£ 200 ns

N-ChannelEnhancementMode

Highdv/dt, Lowt_rr, HDMOS^TMFamily

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-247AD(IXFH)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

200

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MW

(TAB)

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

V_GSM

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

68N20

74N20

68N20

74N20

68N20

74N20

272

296

TO-268 (D3) ( IXFT)

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

(TAB)

E_AR

T_C= 25°C

G = Gate,

S = Source,

D = Drain,

TAB = Drain

dv/dt

I_S£ I_DM, di/dt £ 100 A/ms, V_DD£ V_DSS

V/ns

T_J£ 150°C, R_G= 2 W

P_D

T_C= 25°C

360

Features

T_J

-55 ... +150

150

°C

International standard packages

Low R

HDMOS^TMprocess

T_JM

T_stg

Rugge^Dd^{S (}p^ono⁾lysilicon gate cell structure

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Low package inductance

- easy to drive and to protect

Fast intrinsic Rectifier

-55 ... +150

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Mounting torque

300

°C

M_d

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

Applications

DC-DC converters

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Synchronous rectification

Battery chargers

min.typ.

max.

Switched-mode and resonant-mode

power supplies

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 1 mA

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

200

DC choppers

AC motor control

V_GS(th)

Temperature and lighting controls

Low voltage relays

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100

Advantages

V_DS= 0.8 V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

200

Easy to mount with 1 screw (TO-247)

(isolated mounting screw hole)

High power surface package

High power density

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

74N20

68N20

30 mW

35 mW

Pulse test, t £ 300 ms, duty cycle d £ 2 %

97522C (8/00)

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