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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | TO-268AA | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.76 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 68 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 68 A | 最大漏源导通电阻： | 0.035 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-268AA |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 360 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 272 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFT69N30P | IXYS |
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Polar HiPerFET Power MOSFET |
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| IXFT69N30P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFT6N100F | IXYS |
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Power MOSFETs |
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| IXFT6N100Q | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
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| IXFT6N100Q | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFT70N15 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFETTM Power MOSFETs |
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| IXFT70N30Q3 | IXYS |
获取价格 |
HiperFET Power MOSFETs Q3-Class |
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| IXFT70N30Q3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Q3级系列功率MOSFET为最终用户提供具有一流功率开关性能、出色热特性、强大器件耐用性和 |
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| IXFT74N20 | IXYS |
获取价格 |
HIPERFET POWER MOSFETs |
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| IXFT75N10Q | IXYS |
获取价格 |
HIPER FET POWER MOSFETS Q CLASS |
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