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IXFT88N30P

更新时间： 2024-11-18 11:14:07

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5页	145K
描述
Polar HiPerFET Power MOSFET

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IXFT88N30P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-268AA
包装说明：	TO-268, 3 PIN	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.71	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	2000 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	300 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	88 A	最大漏极电流 (ID)：	88 A
最大漏源导通电阻：	0.04 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-268AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	600 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	220 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFT88N30P 数据手册

Polar^TMHiPerFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 300V

I_D25= 88A

R_DS(on)≤ 40mΩ

t_rr≤ 200ns

IXFT88N30P

IXFH88N30P

IXFK88N30P

TO-268 (IXFT)

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

Tab

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-247(IXFH)

T_J= 25°C to 150°C

300

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 20

± 30

I_D25

I_L(RMS)

T_C= 25°C

External Lead Current Limit

TO-264 (IXFK)

I_DM

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

220

I_A

T_C= 25°C

E_AS

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

V/ns

Tab

T_C= 25°C

600

G = Gate

S = Source

= Drain

T_J

-55 to +150

+150

°C

Tab = Drain

T_JM

T_stg

Features

-55 to +150

T_L

1.6mm (0.063in) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

^zInternational Standard Packages

^zFast Intrinsic Diode

T_SOLD

^zAvalanche Rated

M_d

Mounting Torque (TO-247&TO-264)

1.13/10

Nm/lb.in.

^zLow R_DS(ON)and Q_G

^zLow Package Inductance

Weight

TO-268

TO-247

TO-264

Advantages

^zHigh Power Density

^zEasy to Mount

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

^zSpace Savings

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

300

2.5

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 4mA

V_GS= ± 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

Applications

5.0

^zDC-DC Coverters

^zBattery Chargers

±100 nA

^zSwitch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

I_DSS

25 μA

T_J= 125°C

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

250 μA

^zDC Choppers

R_DS(on)

40 mΩ

^zAC and DC Motor Drives

Uninterrupted Power Supplies

High Speed Power Switching

Applications

DS99216F(11/09)

12 3 4 5

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IXFT88N30P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTK88N30P	IXYS	类似代替	PolarHTTM Power MOSFET
IXTQ88N30P	IXYS	功能相似	PolarHTTM Power MOSFET
IXFH88N30P	IXYS	功能相似	Polar HiPerFET Power MOSFET

与IXFT88N30P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFT94N30P3	LITTELFUSE	获取价格	PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的
IXFT94N30T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXFT96N20P	IXYS	获取价格	PolarHT HiPerFET Power MOSFET
IXFT96N20P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFT9N80Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFTN100	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFV10N100P	IXYS	获取价格	Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFV10N100PS	IXYS	获取价格	Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFV110N10P	IXYS	获取价格	PolarHT HiPerFET Power MOSFET
IXFV110N10P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:

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