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力特 - LITTELFUSE | 栅 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
7页 | 203K | |
描述 | ||
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围(从-40 °C到175 °C),这些产品非常适合汽车应用以及其他处 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFT96N20P | IXYS |
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PolarHT HiPerFET Power MOSFET | |
IXFT96N20P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: | |
IXFT9N80Q | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs Q-Class | |
IXFTN100 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs | |
IXFV10N100P | IXYS |
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Polar Power MOSFET HiPerFET | |
IXFV10N100PS | IXYS |
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Polar Power MOSFET HiPerFET | |
IXFV110N10P | IXYS |
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PolarHT HiPerFET Power MOSFET | |
IXFV110N10P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: | |
IXFV110N10PS | IXYS |
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PolarHT HiPerFET Power MOSFET | |
IXFV110N25T | IXYS |
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Trench Gate Power HiperFET |