IXFV18N60PS

更新时间： 2024-11-05 03:14:35

品牌	Logo	应用领域
IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
5页	171K
描述
PolarHV HiPerFET Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXFV18N60PS 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	PLUS220SMD, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1000 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (ID)：	18 A	最大漏源导通电阻：	0.4 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	45 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFV18N60PS 数据手册

PolarHV^TMHiPerFET

Power MOSFET

IXFH 18N60P

IXFV 18N60P

IXFV 18N60PS

V_DSS= 600 V

I_D25= 18

R_DS(on)≤ 400 mΩ

≤ 200 ns

N-Channel Enhancement Mode

Fast Intrinsic Diode

t_rr

Avalanche Rated

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-247 AD (IXFH)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

600

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

V_GS

Continuous

Tranisent

V_GSM

D (TAB)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

PLUS220 (IXFV)

I_AR

T_C= 25°C

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

1.0

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/μs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 5 Ω

V/ns

D (TAB)

T_C= 25°C

360

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

PLUS220SMD (IXFV...S)

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 s

300

260

°C

M_d

Mounting torque

TO-247

(TO-247)

1.13/10 Nm/lb.in.

D (TAB)

Weight

PLUS220 & PLUS220SMD

G = Gate

D = Drain

S = Source

TAB = Drain

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Features

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

International standard packages

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Low package inductance

- easy to drive and to protect

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 μA

V_DS= V_GS, I_D= 2.5 mA

V_GS= 30 V, V_DS= 0 V

600

3.0

5.5

100

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

250

μA

T_J= 125°C

Advantages

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Pulse test, t ≤ 300 μs, duty cycle d ≤ 2 %

400 mΩ

Easy to mount

Space savings

High power density

DS99390E(03/06)

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

IXFV18N60PS 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFV18N60P	IXYS	完全替代	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXTQ18N60P	IXYS	类似代替	PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXFH18N60P	IXYS	类似代替	PolarHV HiPerFET Power MOSFET

与IXFV18N60PS相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFV18N90P	IXYS	获取价格	Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFV18N90PS	IXYS	获取价格	Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFV20N80P	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFV20N80PS	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFV22N50P	IXYS	获取价格	Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFV22N60P	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFETs
IXFV22N60PS	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFETs
IXFV26N50P	IXYS	获取价格	Avalanche Rated Fast Instrinsic Diode
IXFV26N50PS	IXYS	获取价格	Avalanche Rated Fast Instrinsic Diode
IXFV26N60P	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Fast Recovery Diode Avalanche Rated

与IXFV18N60PS相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

9
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

35
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFV18N60PS

IXFV18N60PS 技术参数

IXFV18N60PS 数据手册

IXFV18N60PS 替代型号

与IXFV18N60PS相关器件

与IXFV18N60PS相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFV18N60PS

IXFV18N60PS 技术参数

IXFV18N60PS 数据手册

IXFV18N60PS 替代型号

与IXFV18N60PS相关器件

与IXFV18N60PS相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？