是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | PLUS220SMD, 3 PIN |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.32 | 其他特性: | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas): | 1200 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 500 V |
最大漏极电流 (ID): | 30 A | 最大漏源导通电阻: | 0.2 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 75 A |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IXFT30N50P | IXYS |
完全替代 |
PolarHV HiPerFET Power MOSFET | |
IXTH30N50P | IXYS |
功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 500V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
IXFH30N50P | IXYS |
功能相似 |
PolarHV HiPerFET Power MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFV30N60P | IXYS |
获取价格 |
PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode | |
IXFV30N60PS | IXYS |
获取价格 |
PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode | |
IXFV36N50P | IXYS |
获取价格 |
PolarHV HiPerFET Power MOSFET | |
IXFV36N50PS | IXYS |
获取价格 |
PolarHV HiPerFET Power MOSFET | |
IXFV52N30P | IXYS |
获取价格 |
PolarHT Power MOSFET HiPerFET | |
IXFV52N30PS | IXYS |
获取价格 |
PolarHT Power MOSFET HiPerFET | |
IXFV74N20P | IXYS |
获取价格 |
PolarHT HiPerFET Power MOSFET | |
IXFV74N20PS | IXYS |
获取价格 |
PolarHT HiPerFET Power MOSFET | |
IXFV96N15P | IXYS |
获取价格 |
PolarHT HiPerFET Power MOSFET | |
IXFV96N15PS | IXYS |
获取价格 |
PolarHT HiPerFET Power MOSFET |