IXFV30N60PS

更新时间： 2024-11-05 12:27:43

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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5页	330K
描述
PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode

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IXFV30N60PS 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	PLUS220SMD, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.31	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (ID)：	30 A
最大漏源导通电阻：	0.24 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	80 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFV30N60PS 数据手册

PolarHV^TMHiPerFET

Power MOSFET

IXFH 30N60P

IXFT 30N60P

IXFV 30N60P

IXFV 30N60PS

V_DSS= 600

I_D25= 30

R_DS(on)≤ 240 mΩ

≤ 200 ns

N-Channel Enhancement Mode

Fast Recovery Diode

t_rr

Avalanche Rated

PLUS220 (IXFV)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25° C to 150° C

600

T_J= 25° C to 150° C; R_GS= 1 MΩ

D (TAB)

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

PLUS220 SMD (IXFV...S)

I_D25

I_DM

T_C=25° C

T_C= 25° C, pulse width limited by T_JM

I_AR

T_C=25° C

D (TAB)

E_AR

E_AS

T_C=25° C

1.5

TO-247 (IXFH)

dv/dt

P_D

I_S≤I_DM, di/dt ≤100 A/µs, V_DD≤V_DSS

T_J≤150° C, R_G= 4 Ω

V/ns

T_C=25° C

500

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

D (TAB)

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 s

300

260

°C

TO-268 (IXFT)

Mounting torque

Mounting force

(TO-247)

(PLUS220)

1.13/10 Nm/lb.in.

F_C^d

11..65/2.5..15

N/lb.

Weight

TO-247

TO-268

PLUS220

D (TAB)

G = Gate

D = Drain

TAB = Drain

S = Source

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25° C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

V_GS= 30 V, V_DS= 0

600

Features

2.5

5.0

Fast Recovery diode

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

100

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

250

µA

International standard packages

Low package inductance

- easy to drive and to protect

T_J= 125° C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

240 mΩ

Pulse test, t ≤300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

DS99316E(03/06)

12 3 4 5

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFH30N60P	IXYS	完全替代	PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTQ30N60P	IXYS	类似代替	PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXFT30N60P	IXYS	类似代替	PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode

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IXFV96N20PS	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 96A I(D), 200V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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