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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | PLUS220SMD, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 1500 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 36 A | 最大漏极电流 (ID)： | 36 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.17 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 540 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 90 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IXTV36N50PS | IXYS |
类似代替  |
PolarHV Power MOSFET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFV52N30P | IXYS |
获取价格 |
PolarHT Power MOSFET HiPerFET |
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| IXFV52N30PS | IXYS |
获取价格 |
PolarHT Power MOSFET HiPerFET |
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| IXFV74N20P | IXYS |
获取价格 |
PolarHT HiPerFET Power MOSFET |
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| IXFV74N20PS | IXYS |
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PolarHT HiPerFET Power MOSFET |
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| IXFV96N15P | IXYS |
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PolarHT HiPerFET Power MOSFET |
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| IXFV96N15PS | IXYS |
获取价格 |
PolarHT HiPerFET Power MOSFET |
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| IXFV96N20P | IXYS |
获取价格 |
PolarHT HiPerFET Power MOSFET |
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| IXFV96N20PS | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 96A I(D), 200V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IXFX100N25 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXFX100N25 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
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