IXFV36N50P

更新时间： 2024-11-18 11:14:07

品牌	Logo	应用领域
IXYS		/
页数	文件大小	规格书
5页	337K
描述
PolarHV HiPerFET Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXFV36N50P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	PLUS220, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	36 A	最大漏极电流 (ID)：	36 A
最大漏源导通电阻：	0.17 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	540 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	90 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFV36N50P 数据手册

PolarHV^TMHiPerFET

Power MOSFET

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

IXFH 36N50P

IXFT 36N50P

IXFV 36N50P

IXFV 36N50PS

V_DSS= 500 V

I_D25= 36 A

R_DS(on)≤ 170 mΩ

t_rr≤ 200 ms

Fast Intrinsic Diode

TO-247 AD (IXFH)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25° C to 175° C

T_J= 25° C to 175° C; R_GS= 1 MΩ

500

D (TAB)

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

TO-268 (IXFT)

I_D25

I_DM

T_C=25° C

T_C= 25° C, pulse width limited by T_JM

I_AR

E_AR

E_AS

T_C=25° C

1.5

D (TAB)

PLUS220 (IXFV)

dv/dt

P_D

I_S≤I_DM, di/dt ≤100 A/µs, V_DD≤V_DSS

T_J≤150° C, R_G= 3 Ω

V/ns

T_C=25° C

540

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

D (TAB)

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 s

300

260

°C PLUS220SMD (IXFV...S)

°C

M_d

Mounting torque (TO-247)

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-247

TO-268

PLUS220

D (TAB)

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

Features

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25° C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

International standard packages

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Low package inductance

- easy to drive and to protect

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250µA

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

V_GS= 30 V_DC, V_DS= 0

500

3.0

5.0

100

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

500

µA

Advantages

T_J= 125° C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Pulse test, t ≤300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

170 mΩ

Easy to mount

Space savings

High power density

DS99364E(03/06)

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

IXFV36N50P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTH36N50P	IXYS	功能相似	PolarHV Power MOSFET
IXFH36N50P	IXYS	功能相似	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFH30N50Q3	IXYS	功能相似	HiperFETTM Power MOSFETs Q3-Class

与IXFV36N50P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFV36N50PS	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFV52N30P	IXYS	获取价格	PolarHT Power MOSFET HiPerFET
IXFV52N30PS	IXYS	获取价格	PolarHT Power MOSFET HiPerFET
IXFV74N20P	IXYS	获取价格	PolarHT HiPerFET Power MOSFET
IXFV74N20PS	IXYS	获取价格	PolarHT HiPerFET Power MOSFET
IXFV96N15P	IXYS	获取价格	PolarHT HiPerFET Power MOSFET
IXFV96N15PS	IXYS	获取价格	PolarHT HiPerFET Power MOSFET
IXFV96N20P	IXYS	获取价格	PolarHT HiPerFET Power MOSFET
IXFV96N20PS	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 96A I(D), 200V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXFX100N25	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs

与IXFV36N50P相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

18
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

43
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

38

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFV36N50P

IXFV36N50P 技术参数

IXFV36N50P 数据手册

IXFV36N50P 替代型号

与IXFV36N50P相关器件

与IXFV36N50P相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFV36N50P

IXFV36N50P 技术参数

IXFV36N50P 数据手册

IXFV36N50P 替代型号

与IXFV36N50P相关器件

与IXFV36N50P相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？