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IXTH30N50P

更新时间： 2024-02-04 10:54:54

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	332K
描述
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 500V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, TO-247AD, 3 PIN

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IXTH30N50P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	TO-247AD, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.32	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1200 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (ID)：	30 A	最大漏源导通电阻：	0.2 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	75 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

IXTH30N50P 数据手册

PolarHV^TM

Power MOSFET

V_DSS= 500 V

I_D25= 30 A

R_DS(on)≤ 200 mΩ

IXTH 30N50P

IXTQ 30N50P

IXTT 30N50P

IXTV 30N50P

IXTV 30N50PS

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-247 AD (IXTH)

(TAB)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-3P (IXTQ)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25° C to 150° C

500

T_J= 25° C to 150° C; R_GS= 1 MΩ

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

(TAB)

I_D25

I_DM

T_C=25° C

T_C= 25° C, pulse width limited by T_JM

TO-268 (IXTT)

I_AR

E_AR

E_AS

T_C=25° C

1.2

dv/dt

P_D

I_S≤I_DM, di/dt ≤100 A/µs, V_DD≤V_DSS

T_J≤150° C, R_G= 5 Ω

V/ns

(TAB)

PLUS220 (IXTV)

T_C=25° C

460

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

(TAB)

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 s

300

260

°C

PLUS220 SMD(IXTV..S)

Mounting torque (TO-247, TO-3P)

Mounting force (PLUS220, PLUS220SMD)

1.13/10 Nm/lb.in.

11 65/2.5 15 N/lb.

F_C^d

Weight

PLUS220, PLUS220SMD

5.5

TO-268

TO-3P

TO-247

(TAB)

G = Gate

D = Drain

S = Source

TAB = Drain

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25° C, unless otherwise specified)

Min. Typ. Max.

Features

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 250 µA

V_GS= 30 V, V_DS= 0 V

500

International standard packages

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

3.0

5.0

100

Low package inductance

- easy to drive and to protect

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

250

µA

Advantages

T_J= 125° C

Easy to mount

Space savings

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Pulse test, t ≤300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

165

200

mΩ

High power density

DS99415E(04/06)

12 3 4 5

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFH30N50P	IXYS	类似代替	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFT30N50P	IXYS	功能相似	PolarHV HiPerFET Power MOSFET

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IXTH30N60L2	IXYS	获取价格	Linear L2 Power MOSFET with extended FBSOA
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IXTH31N15MA	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 31A I(D) \| TO-247(5)
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IXTH31N20MA	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTH31N20MB	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
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