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IXTH30N50S

更新时间： 2024-11-19 08:15:47

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力特 - LITTELFUSE		/
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2页	37K
描述
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 500V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SMD, 4 PIN

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IXTH30N50S 数据手册

Preliminary Data Sheet

V_DSS

I_D25

R_DS(on)

MegaMOS^TMFET

N-Channel Enhancement Mode

IXTH 30N45 450 V 30 A 0.16 Ω

IXTH 30N50 500 V 30 A 0.17 Ω

TO-247 AD

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

D (TAB)

30N45

30N50

30N45

30N50

450

500

450

500

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

TO-247 SMD

( ...S )

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

120

C (TAB)

P_D

T_C= 25°C

360

G = Gate,

S = Source,

D = Drain,

TAB = Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

*Add suffix letter "S" for TO-247 SMD

package option (EX:IXTH30N50S)

T_L

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

Mounting torque

300

°C

Features

M_d

1.13/10 Nm/lb.in.

• International standard package

JEDEC TO-247 AD

Weight

• Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

• Rugged polysilicon gate cell structure

• High commutating dv/dt rating

• Fast switching times

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

Applications

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 5 mA

30N50

30N45

500

450

%/k

• Switch-mode and resonant-mode

power supplies

BV_DSStemperature coefficient

.087

• Motor control

• Uninterruptible Power Supplies (UPS)

• DC choppers

V_GS(th)

V_DS= V_GS, I_D= 250µA

V_GS(th)temperature coefficient

%/k

-0.25

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100

V_DS= 0.8 • V_DSS

_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

200

µA

Advantages

• Easy to mount with 1 screw (TO-247)

(isolated mounting screw hole)

• Space savings

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

30N50

30N45

0.17

0.16

Ω

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

• High power density

94569D(5/97)

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