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IXTH35N30

更新时间： 2024-01-21 23:24:13

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MegaMOSTMFET

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IXTH35N30 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.83	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	300 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	35 A	最大漏极电流 (ID)：	35 A
最大漏源导通电阻：	0.1 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	300 W	最大功率耗散 (Abs)：	250 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	140 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTH35N30 数据手册

MegaMOS^TMFET

V_DSS

I_D25

R_DS(on)

IXTH 35N30

IXTH 40N30

IXTM 40N30

300V 35 A 0.10 Ω

300V 40 A 0.085 Ω

300V 40 A 0.088 Ω

N-ChannelEnhancementMode

Symbol

Test Conditions

MaximumRatings

TO-247 AD (IXTH)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

300

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

300

D(TAB)

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

V_GSM

I_D25

T_C= 25°C

35N30

40N30

TO-204 AE (IXTM)

I_DM

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

35N30

40N30

140

160

P_D

T_C= 25°C

300

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

G = Gate,

S = Source,

D = Drain,

TAB = Drain

-55 ... +150

M_d

Mountingtorque

1.13/10 Nm/lb.in.

TO-204 = 18 g, TO-247 = 6 g

300 °C

Weight

Maximumleadtemperatureforsoldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Features

Internationalstandardpackages

Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

Rugged polysilicon gate cell structure

Low package inductance (< 5 nH)

- easy to drive and to protect

Fast switching times

Symbol

Test Conditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

Applications

Switch-modeandresonant-mode

powersupplies

Motorcontrols

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 250 µA

300

V_GS(th)

UninterruptiblePowerSupplies(UPS)

DC choppers

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100 nA

V_DS= 0.8 • V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

200 µA

Advantages

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

IXTH35N30

IXTH40N30

IXTM40N30

0.10

0.085

0.088

Ω

Easy to mount with 1 screw (TO-247)

(isolated mounting screw hole)

Space savings

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

Highpowerdensity

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

91535E(5/96)

1 - 4

12 3 4

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