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IXTH3N150

更新时间： 2024-11-18 14:51:43

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	145K
描述
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 1500V, 7.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, PLASTIC, TO-247, 3 PIN

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IXTH3N150 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	PLASTIC, TO-247, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.73
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	250 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	1500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3 A
最大漏极电流 (ID)：	3 A	最大漏源导通电阻：	7.3 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	250 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	9 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTH3N150 数据手册

High Voltage

Power MOSFET

V_DSS= 1500V

I_D25= 3A

R_DS(on) 7.3

IXTH3N150

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

TO-247

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

1500

V_DGR

Tab

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

30

40

G = Gate

S = Source

= Drain

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

Tab = Drain

I_A

E_AS

T_C= 25C

250

Features

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150C

T_C= 25C

V/ns



International Standard Package

Fast Intrinsic Diode

250



T_J

T_JM

T_stg

- 55 ... +150

150

- 55 ... +150

C

Avalanche Rated

Molding Epoxies meet UL 94 V-0

Flammability Classification

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

Plastic Body for 10s

300

260

°C

Advantages

M_d

Mounting Torque

1.13 / 10

Nm/lb.in.



Easy to Mount

Space Savings

Weight



High Power Density

Applications

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



High Voltage Power Supplies

Capacitor Discharge Applications

Pulse Circuits

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1500

2.5

Typ.

Max.



BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250A

V_DS= V_GS, I_D= 250A

V_GS= 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

5.0

100 nA

I_DSS

10 A

T_J= 125C

100 A

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

7.3



DS100286C(10/13)

12 3 4

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