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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Not Recommended |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.72 | 雪崩能效等级（Eas）： | 1000 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (ID)： | 48 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.05 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-247AD | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 192 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTH48N60X2A | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTH48N65X2 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTH48N65X2 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTH48P20P | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTH48P20P | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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| IXTH4N100L | LITTELFUSE |
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当功率MOSFET用于线性模式工作时，相对于传统的开关模式具有相当高的热应力和电应力，这是 |
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| IXTH4N150 | LITTELFUSE |
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高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉 |
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| IXTH500N04T2 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 500A I(D), 40V, 0.0016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IXTH500N04T2 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTH50N15 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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