IXTH5N100

更新时间： 2024-11-17 22:11:03

品牌	Logo	应用领域
IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
4页	107K
描述
Standard Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXTH5N100 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	TO-247AD, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.83
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	1000 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5 A
最大漏极电流 (ID)：	5 A	最大漏源导通电阻：	2.4 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	180 W
最大功率耗散 (Abs)：	150 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	20 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTH5N100 数据手册

V_DSS

I_D25

R_DS(on)

Standard

IXTH / IXTM 5N100

IXTH / IXTM 5N100A

1000V 5 A

2.4 Ω

2.0 Ω

Power MOSFET

N-ChannelEnhancementMode

Symbol

Test Conditions

MaximumRatings

TO-247 AD (IXTH)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

1000

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

D(TAB)

V_GSM

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

TO-204 AA (IXTM)

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

P_D

T_C= 25°C

180

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

M_d

Mountingtorque

1.13/10 Nm/lb.in.

G = Gate,

D = Drain,

S = Source,

TAB = Drain

Weight

TO-204 = 18 g, TO-247 = 6 g

Maximumleadtemperatureforsoldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

Features

Internationalstandardpackages

Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

Rugged polysilicon gate cell structure

Low package inductance (< 5 nH)

- easy to drive and to protect

Fast switching times

Symbol

Test Conditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

Applications

Switch-modeandresonant-mode

powersupplies

Motorcontrols

UninterruptiblePowerSupplies(UPS)

DC choppers

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 3 mA

1000

V_GS(th)

V_DS= V_GS, I_D= 250 µA

4.5

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100 nA

250 µA

V_DS= 0.8 • V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

Advantages

Easy to mount with 1 screw (TO-247)

(isolated mounting screw hole)

Space savings

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

5N100

5N100A

2.4

2.0

Ω

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

Highpowerdensity

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

93009C (4/96)

1 - 4

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与IXTH5N100相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTH5N100A	IXYS	获取价格	Standard Power MOSFET
IXTH5N100A	LITTELFUSE	获取价格	高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉
IXTH5N95	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 950V V(BR)DSS \| 5A I(D) \| TO-247
IXTH5N95A	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTH60N10	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode
IXTH60N20L2	LITTELFUSE	获取价格	这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正
IXTH62N65X2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTH64N10L2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTH64N10L2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTH64N65X	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,

与IXTH5N100相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

17
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

42
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

37

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTH5N100

IXTH5N100 技术参数

IXTH5N100 数据手册

与IXTH5N100相关器件

与IXTH5N100相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTH5N100

IXTH5N100 技术参数

IXTH5N100 数据手册

与IXTH5N100相关器件

与IXTH5N100相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？