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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-247 |
| 包装说明： | PLASTIC PACKAGE-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 4.45 |
| 其他特性： | UL RECOGNIZED | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最大漏源导通电阻： | 0.5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-247 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTH6N60 | IXYS |
获取价格 |
Transistor |
|
| IXTH6N80 | IXYS |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode |
|
| IXTH6N80A | IXYS |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode |
|
| IXTH6N90 | IXYS |
获取价格 |
Standard Power MOSFET |
|
| IXTH6N90A | IXYS |
获取价格 |
Standard Power MOSFET |
|
| IXTH72N20 | IXYS |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode |
|
| IXTH75N08 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
|
| IXTH75N10 | IXYS |
获取价格 |
MegaMOSFET |
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| IXTH75N10L2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| IXTH75N15 | IXYS |
获取价格 |
High Current Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
|
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