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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.69 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 7 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e0 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IXTH7P50 | IXYS | Standard Power MOSFET P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
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| IXTH80N075L2 | IXYS | Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTH80N075L2 | LITTELFUSE | 这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正 |
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| IXTH80N20L | IXYS | MOSFET N-CH 200V 80A TO-247 |
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| IXTH80N20L | LITTELFUSE | 当功率MOSFET用于线性模式工作时，相对于传统的开关模式具有相当高的热应力和电应力，这是 |
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| IXTH80N65X2 | LITTELFUSE | 这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的 |
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