Datasheet > IXTH86N25T

IXTH86N25T

更新时间： 2024-11-21 20:06:15

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	172K
描述
Power Field-Effect Transistor, 86A I(D), 250V, 0.037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, TO-247AD, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXTH86N25T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	TO-247AD, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.76	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	250 V
最大漏极电流 (ID)：	86 A	最大漏源导通电阻：	0.037 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	190 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTH86N25T 数据手册

Preliminary Technical Information

IXTH86N25T

IXTQ86N25T

IXTV86N25T

V_DSS= 250V

I_D25= 86A

R_DS(on)≤ 37mΩ

Trench Gate

Power MOSFET

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-247 (IXTH)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

(TAB

T_J= 25°C to 150°C

250

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

250

V_GSM

Transient

± 30

TO-3P (IXTQ)

I_D25

I_LRMS

I_DM

T_C= 25°C

Lead Current Limit, RMS

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

190

I_AS

T_C= 25°C

E_AS

1.5

(TAB)

P_D

T_C= 25°C

540

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

PLUS220 (IXTV)

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from case for 10s

Plastic body for 10 seconds

300

260

°C

M_d

Mounting torque (TO-247 & TO-3P)

Mounting force (PLUS220)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

N/lb.

(TAB)

F_C

11..65 / 2.5..14.6

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

Weight

TO-247

TO-3P

PLUS220

6.0

5.5

4.0

Features

^zInternational standard packages

^zAvalanche rated

^zLow package inductance

- easy to drive and to protect

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C unless otherwise specified)

Min.

250

Typ.

Max.

Easy to mount

Space savings

High power density

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 1mA

V_GS= ± 20V, V_DS= 0V

± 200 nA

μA

Applications

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

T_J= 125°C

250 μA

^zDC-DC converters

^zBattery chargers

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Notes 1, 2

37 mΩ

^zSwitched-mode and resonant-mode

power supplies

^zDC choppers

^zAC motor control

^zUninterruptible power supplies

DS99784A(10/07)

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与IXTH86N25T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTH88N15	IXYS	获取价格	High Current Power MOSFET
IXTH88N30P	IXYS	获取价格	PolarHT Power MOSFET
IXTH88N30P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTH8P45	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 450V V(BR)DSS \| 8A I(D) \| TO-218VAR
IXTH8P50	IXYS	获取价格	Standard Power MOSFET P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTH8P50	LITTELFUSE	获取价格	P通道标准功率MOSFET的额定电压范围为-100V至-600V，并采用业内流行的TO-2
IXTH90N15T	IXYS	获取价格	Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTH90N20X3	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXTH90P10P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTH94N20X4	LITTELFUSE	获取价格	新型200V X4超级结MOSFET采用最新的超级结技术设计，适用于高效电源应用。其采用

与IXTH86N25T相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

28
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

21
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

50
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

48

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTH86N25T

IXTH86N25T 技术参数

IXTH86N25T 数据手册

与IXTH86N25T相关器件

与IXTH86N25T相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTH86N25T

IXTH86N25T 技术参数

IXTH86N25T 数据手册

与IXTH86N25T相关器件

与IXTH86N25T相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？