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| 品牌 | Logo | 应用领域 |
| 力特 - LITTELFUSE |  |
栅 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 8页 | 312K |  |
| 描述 | ||
| 沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(ON)极低，因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处 | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.75 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 1500 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 250 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 76 A | 最大漏极电流 (ID)： | 76 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.039 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-247AD | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 460 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 170 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTH76P10T | IXYS |
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TrenchP Power MOSFETs |
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| IXTH76P10T | LITTELFUSE |
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Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用，这些应用可采用简单的接地参考驱 |
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| IXTH7P45 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-218VAR |
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| IXTH7P50 | IXYS |
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Standard Power MOSFET P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
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| IXTH80N075L2 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTH80N075L2 | LITTELFUSE |
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这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正 |
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| IXTH80N20L | IXYS |
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MOSFET N-CH 200V 80A TO-247 |
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| IXTH80N20L | LITTELFUSE |
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当功率MOSFET用于线性模式工作时，相对于传统的开关模式具有相当高的热应力和电应力，这是 |
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| IXTH80N65X2 | LITTELFUSE |
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这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的 |
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| IXTH86N25T | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 86A I(D), 250V, 0.037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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