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IXTH6N100D2

更新时间： 2024-11-05 20:28:07

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力特 - LITTELFUSE		局域网开关晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	172K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXTH6N100D2 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.76
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

IXTH6N100D2 数据手册

Depletion Mode

MOSFET

V_DSX= 1000V

I_D(on)> 6A

IXTA6N100D2

IXTP6N100D2

IXTH6N100D2

R_DS(on) 2.2

N-Channel

TO-263 AA (IXTA)

D (Tab)

TO-220AB (IXTP)

Symbol

V_DSX

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

1000

D (Tab)

V_GSX

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

TO-247 (IXTH)

P_D

T_C= 25C

300

T_J

T_JM

T_stg

- 55 ... +150

150

- 55 ... +150

C

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

D (Tab)

M_d

Mounting Torque (TO-220 & TO-247)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

G = Gate

S = Source

= Drain

Weight

TO-263

TO-220

TO-247

2.5

3.0

6.0

Tab = Drain

Features

• Normally ON Mode

• International Standard Packages

• Molding Epoxies Meet UL94V-0

Flammability Classification

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1000

- 2.5

Typ.

Max.

BV_DSX

V_GS(off)

I_GSX

V_GS= - 5V, I_D= 250A

V_DS= 25V, I_D= 250A

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSX, V_GS= - 5V

Advantages

- 4.5

• Easy to Mount

• Space Savings

• High Power Density

100 nA

A

50 A

I_DSX(off)

T_J= 125C

Applications

R_DS(on)

I_D(on)

V_GS= 0V, I_D= 3A, Note 1

2.2



• Audio Amplifiers

• Start-Up Circuits

• Protection Circuits

• Ramp Generators

• Current Regulators

• Active Loads

V_GS= 0V, V_DS= 50V, Note 1

DS100183C(4/17)

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