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IXTH6N50D2

更新时间： 2024-04-18 10:34:12

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		栅栅极
页数	文件大小	规格书
6页	199K
描述
不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电压为零。凭借高达1700V的阻断电压和较低的漏极到源极电阻，这些器件在持续“开启”的系统（例如紧急警报或

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Depletion Mode

MOSFET

V_DSX= 500V

I_D(on)> 6A

IXTA6N50D2

IXTP6N50D2

IXTH6N50D2

R_DS(on) 550m

N-Channel

D

TO-263 AA (IXTA)

G

S

G

D (Tab)

S

TO-220AB (IXTP)

Symbol

V_DSX

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

500

V

V_GSX

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

V

V

G

D

D (Tab)

S

P_D

T_C= 25C

300

W

TO-247 (IXTH)

T_J

T_JM

T_stg

- 55 ... +150

150

- 55 ... +150

C

C

C

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

C

C

G

D

S

M_d

Mounting Torque (TO-220 & TO-247)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

D (Tab)

Weight

TO-263

TO-220

TO-247

2.5

3.0

6.0

g

g

g

G = Gate

D

= Drain

S = Source

Tab = Drain

Features

• Normally ON Mode

• International Standard Packages

• Molding Epoxies Meet UL94V-0

Flammability Classification

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

BV_DSX

V_GS(off)

I_GSX

V_GS= - 5V, I_D= 250A

V_DS= 25V, I_D= 250A

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSX, V_GS= - 5V

500

V

V

Advantages

- 2.5

- 4.5

• Easy to Mount

• Space Savings

• High Power Density

100 nA

A

I_DSX(off)

5

T_J= 125C

50 A

550 m

A

Applications

R_DS(on)

I_D(on)

V_GS= 0V, I_D= 3A, Note 1

• Audio Amplifiers

• Start-up Circuits

• Protection Circuits

• Ramp Generators

• Current Regulators

• Active Loads

V_GS= 0V, V_DS= 25V, Note 1

6

DS100177D(4/17)

© 2017 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved

12 3 4 5 6

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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