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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTH67N08MB | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| IXTH67N10 | IXYS |
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MegaMOSFET |
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| IXTH67N10MA | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 67A I(D) | TO-247(5) |
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| IXTH67N10MB | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| IXTH68N20 | IXYS |
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High Current MegaMOSFET |
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| IXTH68P20T | LITTELFUSE |
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Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用，这些应用可采用简单的接地参考驱 |
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| IXTH6N100D2 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTH6N100D2 | IXYS |
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Preliminary Technical Information Depletion Mode MOSFET |
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| IXTH6N120 | IXYS |
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High Voltage Power MOSFET |
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| IXTH6N150 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 1500V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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