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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.8 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 67 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码： | e0 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTH67N08MB | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| IXTH67N10 | IXYS |
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MegaMOSFET |
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| IXTH67N10MA | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 67A I(D) | TO-247(5) |
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| IXTH67N10MB | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| IXTH68N20 | IXYS |
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High Current MegaMOSFET |
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| IXTH68P20T | LITTELFUSE |
获取价格 |
Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用，这些应用可采用简单的接地参考驱 |
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| IXTH6N100D2 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTH6N100D2 | IXYS |
获取价格 |
Preliminary Technical Information Depletion Mode MOSFET |
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| IXTH6N120 | IXYS |
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High Voltage Power MOSFET |
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| IXTH6N150 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 1500V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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