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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.92 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 67 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e0 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTH68N20 | IXYS |
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High Current MegaMOSFET |
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| IXTH68P20T | LITTELFUSE |
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Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用，这些应用可采用简单的接地参考驱 |
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| IXTH6N100D2 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTH6N100D2 | IXYS |
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Preliminary Technical Information Depletion Mode MOSFET |
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| IXTH6N120 | IXYS |
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High Voltage Power MOSFET |
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| IXTH6N150 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 1500V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IXTH6N150 | LITTELFUSE |
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高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉 |
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| IXTH6N50D2 | IXYS |
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Depletion Mode MOSFET |
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| IXTH6N50D2 | LITTELFUSE |
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不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电 |
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| IXTH6N60 | IXYS |
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Transistor |
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