IXTH67N10

更新时间： 2024-11-17 22:11:03

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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MegaMOSFET

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IXTH67N10 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	TO-247AD, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	8.58	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	67 A
最大漏极电流 (ID)：	67 A	最大漏源导通电阻：	0.025 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	300 W	最大功率耗散 (Abs)：	250 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	268 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTH67N10 数据手册

MegaMOS^TMFET

V_DSS

I_D25R_DS(on)

IXTH / IXTM 67N10

IXTH / IXTM 75N10

100V 67 A 25 mΩ

100V 75 A 20 mΩ

N-ChannelEnhancementMode

Symbol

Test Conditions

MaximumRatings

TO-247 AD (IXTH)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

100

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

D(TAB)

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

V_GSM

I_D25

T_C= 25°C

67N10

75N10

TO-204 AE (IXTM)

I_DM

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

67N10

75N10

268

300

P_D

T_C= 25°C

300

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

G = Gate,

S = Source,

D = Drain,

TAB = Drain

-55 ... +150

M_d

Mountingtorque

1.13/10 Nm/lb.in.

TO-204 = 18 g, TO-247 = 6 g

300 °C

Weight

Maximumleadtemperatureforsoldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Features

Internationalstandardpackages

Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

Rugged polysilicon gate cell structure

Low package inductance (< 5 nH)

- easy to drive and to protect

Fast switching times

Symbol

Test Conditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

Applications

Switch-modeandresonant-mode

powersupplies

Motorcontrols

UninterruptiblePowerSupplies(UPS)

DC choppers

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 250 µA

100

V_GS(th)

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100 nA

200 µA

V_DS= 0.8 • V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

Advantages

Easy to mount with 1 screw (TO-247)

(isolated mounting screw hole)

Space savings

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

67N10

75N10

0.025

0.020

Ω

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

Highpowerdensity

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

91533E(5/96)

1 - 4

12 3 4

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IXTH67N10 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
HUF75639G3	FAIRCHILD	功能相似	56A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs

与IXTH67N10相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTH67N10MA	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 67A I(D) \| TO-247(5)
IXTH67N10MB	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
IXTH68N20	IXYS	获取价格	High Current MegaMOSFET
IXTH68P20T	LITTELFUSE	获取价格	Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用，这些应用可采用简单的接地参考驱
IXTH6N100D2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTH6N100D2	IXYS	获取价格	Preliminary Technical Information Depletion Mode MOSFET
IXTH6N120	IXYS	获取价格	High Voltage Power MOSFET
IXTH6N150	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 1500V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTH6N150	LITTELFUSE	获取价格	高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉
IXTH6N50D2	IXYS	获取价格	Depletion Mode MOSFET

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