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IXTH48N65X2

更新时间： 2024-11-05 21:10:31

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描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXTH48N65X2 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	4.44
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

IXTH48N65X2 数据手册

Preliminary Technical Information

X2-Class

Power MOSFET

V_DSS= 650V

I_D25= 48A

R_DS(on) 65m

IXTH48N65X2

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-247

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

D (Tab)

D = Drain

T_J= 25C to 150C

650

G = Gate

S = Source

V_DGR

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

Tab = Drain

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

30

40

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

I_A

T_C= 25C

E_AS

1.5

Features

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

T_C= 25C

V/ns

660



International Standard Package

Low R_DS(ON)and Q_G



T_J

-55 ... +150

150

C

Avalanche Rated

T_JM

T_stg

Low Package Inductance

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

Advantages



M_d

Mounting Torque

1.13 / 10

Nm/lb.in

High Power Density

Easy to Mount

Space Savings



Weight



Applications

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

DC-DC Converters

PFC Circuits

AC and DC Motor Drives

Robotics and Servo Controls

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.



BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

650



3.0

5.0



100 nA

I_DSS

10 A

T_J= 125C

200 A

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

65 m

DS100676A(01/16)

12 3 4 5

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