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IXTH50N25T

更新时间： 2024-11-05 12:27:43

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IXYS		栅
页数	文件大小	规格书
6页	235K
描述
Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode

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IXTH50N25T 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-247	包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.75
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	250 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	50 A
最大漏极电流 (ID)：	50 A	最大漏源导通电阻：	0.05 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	400 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	130 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTH50N25T 数据手册

IXTA50N25T IXTQ50N25T

IXTP50N25T IXTH50N25T

Trench Gate

Power MOSFET

V_DSS= 250V

I_D25= 50A

R_DS(on)≤ 60mΩ

N-Channel Enhancement Mode

TO-263 AA (IXTA)

TO-220AB (IXTP)

TO-3P (IXTQ)

D (Tab)

TO-247 (IXTH)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

250

V_GSM

Transient

± 30

D (Tab)

= Drain

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

130

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

G = Gate

I_A

E_AS

T_C= 25°C

S = Source

Tab = Drain

1.5

P_D

T_C= 25°C

400

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

Features

^zAvalanche Rated

^zHigh Current Handling Capability

^zFast Intrinsic Rectifier

Low R_DS(on)

T_L

1.6mm (0.062in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10 s

300

260

°C

M_d

F_C

Mounting Torque (TO-220, TO-3P &TO-247)

Mounting Force (TO-263)

1.13 / 10

10..65 / 2.2..14.6

Nmlb.in.

N/lb.

Weight

TO-263

TO-220

TO-3P

2.5

3.0

5.5

6.0

Advantages

^zHigh Power Density

^zEasy to Mount

^zSpace Savings

TO-247

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Min. Typ . Max.

Applications

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

^zDC-DC Coverters

^zBattery Chargers

BV_DSS

V_GS(th)

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 1mA

250

3.0

^zSwitch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

5.0

I_GSS

I_DSS

V_GS= ± 20V, V_DS= 0V

± 100 nA

μA

^zDC Choppers

^zAC and DC Motor Drives

^zUninterrupted Power Supplies

^zHigh Speed Power Switching

Applications

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

T_J= 125°C

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

150 μA

60 mΩ

R_DS(on)

DS99346B(01/10)

12 3 4 5 6

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IXTH50N25T 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTQ50N25T	IXYS	类似代替	Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
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IXTP50N25T	IXYS	功能相似	Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IXTH50N30L2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTH50P085	IXYS	获取价格	Standard Power MOSFET
IXTH50P10	IXYS	获取价格	Standard Power MOSFET
IXTH50P10	LITTELFUSE	获取价格	P通道标准功率MOSFET的额定电压范围为-100V至-600V，并采用业内流行的TO-2
IXTH52N65X	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
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IXTH52P10P	LITTELFUSE	获取价格	Polar? P通道MOSFET采用我们的Polar技术平台制造，相比传统产品将通态电阻(
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