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IXTA50N25T

更新时间： 2024-11-20 12:27:43

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IXYS		栅
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描述
Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode

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IXTA50N25T 数据手册

IXTA50N25T IXTQ50N25T

IXTP50N25T IXTH50N25T

Trench Gate

Power MOSFET

V_DSS= 250V

I_D25= 50A

R_DS(on)≤ 60mΩ

N-Channel Enhancement Mode

TO-263 AA (IXTA)

TO-220AB (IXTP)

TO-3P (IXTQ)

D (Tab)

TO-247 (IXTH)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

250

V_GSM

Transient

± 30

D (Tab)

= Drain

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

130

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

G = Gate

I_A

E_AS

T_C= 25°C

S = Source

Tab = Drain

1.5

P_D

T_C= 25°C

400

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

Features

^zAvalanche Rated

^zHigh Current Handling Capability

^zFast Intrinsic Rectifier

Low R_DS(on)

T_L

1.6mm (0.062in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10 s

300

260

°C

M_d

F_C

Mounting Torque (TO-220, TO-3P &TO-247)

Mounting Force (TO-263)

1.13 / 10

10..65 / 2.2..14.6

Nmlb.in.

N/lb.

Weight

TO-263

TO-220

TO-3P

2.5

3.0

5.5

6.0

Advantages

^zHigh Power Density

^zEasy to Mount

^zSpace Savings

TO-247

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Min. Typ . Max.

Applications

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

^zDC-DC Coverters

^zBattery Chargers

BV_DSS

V_GS(th)

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 1mA

250

3.0

^zSwitch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

5.0

I_GSS

I_DSS

V_GS= ± 20V, V_DS= 0V

± 100 nA

μA

^zDC Choppers

^zAC and DC Motor Drives

^zUninterrupted Power Supplies

^zHigh Speed Power Switching

Applications

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

T_J= 125°C

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

150 μA

60 mΩ

R_DS(on)

DS99346B(01/10)

12 3 4 5 6

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTQ50N25T	IXYS	功能相似	Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTH50N25T	IXYS	功能相似	Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode

与IXTA50N25T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTA52P10P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA52P10P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 52A I(D), 100V, 0.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IXTA56N15T	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTA56N15T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXTA5N50P	IXYS	获取价格	PolarHV Power MOSFET - N-Channel Enhancement Mode
IXTA5N50P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTA5N60P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 600V, 1.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IXTA5N60P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTA60N10T	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTA60N10T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低

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