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IXTQ50N25T

更新时间： 2024-11-18 12:27:43

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IXYS		栅
页数	文件大小	规格书
6页	235K
描述
Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode

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IXTQ50N25T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-3P
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.73	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	50 A	最大漏极电流 (ID)：	50 A
最大漏源导通电阻：	0.05 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	400 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	130 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Pure Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTQ50N25T 数据手册

IXTA50N25T IXTQ50N25T

IXTP50N25T IXTH50N25T

Trench Gate

Power MOSFET

V_DSS= 250V

I_D25= 50A

R_DS(on)≤ 60mΩ

N-Channel Enhancement Mode

TO-263 AA (IXTA)

TO-220AB (IXTP)

TO-3P (IXTQ)

D (Tab)

TO-247 (IXTH)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

250

V_GSM

Transient

± 30

D (Tab)

= Drain

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

130

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

G = Gate

I_A

E_AS

T_C= 25°C

S = Source

Tab = Drain

1.5

P_D

T_C= 25°C

400

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

Features

^zAvalanche Rated

^zHigh Current Handling Capability

^zFast Intrinsic Rectifier

Low R_DS(on)

T_L

1.6mm (0.062in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10 s

300

260

°C

M_d

F_C

Mounting Torque (TO-220, TO-3P &TO-247)

Mounting Force (TO-263)

1.13 / 10

10..65 / 2.2..14.6

Nmlb.in.

N/lb.

Weight

TO-263

TO-220

TO-3P

2.5

3.0

5.5

6.0

Advantages

^zHigh Power Density

^zEasy to Mount

^zSpace Savings

TO-247

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Min. Typ . Max.

Applications

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

^zDC-DC Coverters

^zBattery Chargers

BV_DSS

V_GS(th)

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 1mA

250

3.0

^zSwitch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

5.0

I_GSS

I_DSS

V_GS= ± 20V, V_DS= 0V

± 100 nA

μA

^zDC Choppers

^zAC and DC Motor Drives

^zUninterrupted Power Supplies

^zHigh Speed Power Switching

Applications

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

T_J= 125°C

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

150 μA

60 mΩ

R_DS(on)

DS99346B(01/10)

12 3 4 5 6

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IXTQ50N25T 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTH50N25T	IXYS	类似代替	Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTA50N25T	IXYS	功能相似	Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTP50N25T	IXYS	功能相似	Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode

与IXTQ50N25T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTQ52N30P	IXYS	获取价格	PolarHT Power MOSFET
IXTQ52N30P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTQ52P10P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTQ60N10T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTQ60N10T	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTQ60N20L2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTQ60N20L2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 200V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTQ60N20T	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode For PDP Drivers Avalanche Rated
IXTQ60N20T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXTQ62N15P	IXYS	获取价格	PolarHT Power MOSFET

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