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IXTQ69N30P

更新时间： 2024-02-16 12:22:12

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IXYS		晶体晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
5页	108K
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PolarHT Power MOSFET

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IXTQ69N30P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.7
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	300 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	25 A	最大漏极电流 (ID)：	25 A
最大漏源导通电阻：	0.049 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	90 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	200 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTQ69N30P 数据手册

IXTQ 69N30P

IXTT 69N30P

V_DSS

I_D25

= 300 V

= 69 A

PolarHT^TM

Power MOSFET

R_DS(on)= 49 mΩ

N-Channel Enhancement Mode

TO-3P(IXTQ)

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

300

V_GSS

V_GSM

Transient

±20

±30

(TAB)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

200

I_AR

T_C= 25°C

TO-268 (IXTT)

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

1.5

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 4 Ω

V/ns

D (TAB)

T_C= 25°C

500

G = Gate

D = Drain

S = Source

TAB = Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

Features

^!International standard packages

^!Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

^!Low package inductance

- easy to drive and to protect

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

M_d

Mounting torque

(TO-3P)

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-3P

TO-268

5.5

5.0

Advantages

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

Easy to mount

Space savings

High power density

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 250µA

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

300

2.5

5.0

±100

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

250

µA

T_J= 125°C

PolarHT^TMDMOStransistors

utilize proprietary designs and

process. US patent is pending.

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

49 mΩ

DS99078A(04/04)

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTQ69N30PM	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 300V, 0.049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTQ69N30PM	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 300V, 0.049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTQ74N20P	IXYS	获取价格	PolarHTTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTQ74N20P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTQ75N10P	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode
IXTQ75N10P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTQ76N25T	IXYS	获取价格	Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTQ76N25T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(ON)极低，因此确保了非常低
IXTQ80N28T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 280V, 0.049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTQ82N25P	IXYS	获取价格	PolarHT Power MOSFET

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