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IXTQ82N25P

更新时间： 2024-11-19 14:56:51

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力特 - LITTELFUSE		/
页数	文件大小	规格书
6页	185K
描述
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡的器件解决方案。这些器件包含了Polar技术平台，以实现低导通电阻（Rdson）。 Polar标准MOS

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IXTQ82N25P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.76	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1000 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	250 V
最大漏极电流 (ID)：	82 A	最大漏源导通电阻：	0.035 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	200 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTQ82N25P 数据手册

V_DSS= 250V

I_D25= 82A

R_DS(on) 38m

Polar^TM

Power MOSFET

IXTT82N25P

IXTQ82N25P

IXTK82N25P

TO-268 (IXTT)

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

D (Tab)

T_J= 25C to 150C

250

TO-3P( IXTQ)

V_DGR

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

I_D25

I_LRMS

T_C= 25C

Lead Current Limit

D (Tab)

I_DM

P_D

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

T_C= 25C

200

500

TO-264 (IXTK)

T_J

-55 ... +150

150

C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

D (Tab)

G = Gate

S = Source

= Drain

M_d

Mounting Torque (TO-3P&TO-264)

1.13 / 10

Nm/lb.in

Tab = Drain

Weight

TO-268

TO-3P

TO-264

4.0

5.5

10.0

Features

^Fast Intrinsic Rectifier

^Avalanche Rated

^Low R_DS(ON)and Q_G

^Low Package Inductance

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Advantages

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

250

2.5

Typ.

Max.

^High Power Density

^Easy to Mount

^Space Savings

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

5.0

V_GS= 20V, V_DS= 0V100 nA

Applications

I_DSS

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

25 A

T_J= 125C

250 A

^Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

38 m

^DC-DC Converters

^Laser Drivers

^AC and DC Motor Drives

^Robotics and Servo Controls

DS99121F(7/14)

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与IXTQ82N25P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTQ86N20T	IXYS	获取价格	Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTQ86N20T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXTQ86N25T	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTQ86N25T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 86A I(D), 250V, 0.037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTQ88N28T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 88A I(D), 280V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTQ88N30P	IXYS	获取价格	PolarHTTM Power MOSFET
IXTQ88N30P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTQ90N15T	IXYS	获取价格	Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTQ96N15P	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Preliminary Data Sheet
IXTQ96N15P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡

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