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IXTQ52N30P

更新时间： 2024-11-06 14:56:23

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	166K
描述
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡的器件解决方案。这些器件包含了Polar技术平台，以实现低导通电阻（Rdson）。 Polar标准MOS

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IXTQ52N30P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.73	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1000 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	300 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	52 A
最大漏极电流 (ID)：	52 A	最大漏源导通电阻：	0.066 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	400 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	150 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTQ52N30P 数据手册

Polar^TM

Power MOSFETs

V_DSS= 300V

I_D25= 52A

R_DS(on) 73m

IXTT52N30P

IXTQ52N30P

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-268 (IXTT)

D (Tab)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-3P (IXTQ)

T_J= 25C to 150C

300

V_DGR

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

 20

 30

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

D (Tab)

150

G = Gate

S = Source

= Drain

I_A

T_C= 25C

Tab = Drain

E_AS

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

T_C= 25C

V/ns

400

Features

T_J

-55 ... +150

150



C

T_JM

T_stg



Fast Intrinsic Rectifier

Avalanche Rated



-55 ... +150

Low R_DS(ON)and Q_G

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

Low Package Inductance

Advantages

M_d

Mounting Torque (TO-3P)

1.13 / 10

Nm/lb.in



Weight

TO-286

TO-3P

4.0

5.5

High Power Density

Easy to Mount

Space Savings



Applications

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



(T_J= 25C Unless Otherwise Specified)

Min.

300

2.5

Typ.

Max.

Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

DC-DC Converters

Laser Drivers

AC and DC Motor Drives

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V



5.0



          100 nA

Robotics and Servo Controls

I_DSS

25 A

T_J= 125C

250 A

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

73 m

DS99115F(9/13)

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTQ52P10P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTQ60N10T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTQ60N10T	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTQ60N20L2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTQ60N20L2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 200V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTQ60N20T	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode For PDP Drivers Avalanche Rated
IXTQ60N20T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXTQ62N15P	IXYS	获取价格	PolarHT Power MOSFET
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