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IXTQ69N30P

更新时间： 2024-11-19 14:56:47

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力特 - LITTELFUSE		/
页数	文件大小	规格书
6页	169K
描述
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡的器件解决方案。这些器件包含了Polar技术平台，以实现低导通电阻（Rdson）。 Polar标准MOS

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IXTQ69N30P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.7	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	300 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	69 A
最大漏极电流 (ID)：	69 A	最大漏源导通电阻：	0.049 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	500 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	200 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Pure Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTQ69N30P 数据手册

Polar^TM

Power MOSFET

V_DSS= 300V

I_D25= 69A

R_DS(on)≤ 49mΩ

IXTT69N30P

IXTQ69N30P

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-268 (IXTT)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

300

Tab

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

TO-3P (IXTQ)

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 20

± 30

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

200

I_A

T_C= 25°C

Tab

E_AS

1.5

G = Gate

S = Source

= Drain

dv/dt

P_D

I_S< I_DM, V_DD< V_DSS, T_J< 150°C

T_C= 25°C

V/ns

Tab = Drain

500

T_J

-55 to +150

+150

°C

T_JM

T_stg

-55 to +150

Features

T_L

1.6mm (0.063in) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

^zInternational Standard Packages

^zFast Intrinsic Diode

T_SOLD

M_d

Mounting Torque (TO-3P)

1.13/10

Nm/lb.in.

^zAvalanche Rated

^zLow R_DS(ON)and Q_G

^zLow Package Inductance

Weight

TO-268

TO-3P

4.0

5.5

Advantages

^zHigh Power Density

^zEasy to Mount

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

300

2.5

Typ.

Max.

^zSpace Savings

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= ± 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

Applications

5.0

^zDC-DC Coverters

^zBattery Chargers

±100 nA

μA

I_DSS

^zSwitch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

T_J= 125°C

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

100 μA

49 mΩ

R_DS(on)

^zDC Choppers

^zAC and DC Motor Drives

Uninterrupted Power Supplies

High Speed Power Switching

Applications

DS99078F(10/09)

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTQ69N30PM	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 300V, 0.049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTQ69N30PM	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 300V, 0.049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTQ74N20P	IXYS	获取价格	PolarHTTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTQ74N20P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTQ75N10P	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode
IXTQ75N10P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTQ76N25T	IXYS	获取价格	Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTQ76N25T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(ON)极低，因此确保了非常低
IXTQ80N28T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 280V, 0.049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTQ82N25P	IXYS	获取价格	PolarHT Power MOSFET

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