5秒后页面跳转

Datasheet > IXTQ60N20L2

IXTQ60N20L2 PDF预览

IXTQ60N20L2

更新时间： 2024-01-09 04:09:38

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网放大器脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	151K
描述
Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 200V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, TO-3P, 3 PIN

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXTQ60N20L2 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.71
Base Number Matches：	1

IXTQ60N20L2 数据手册

浏览型号IXTQ60N20L2的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号IXTQ60N20L2的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号IXTQ60N20L2的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号IXTQ60N20L2的Datasheet PDF文件第5页

Advance Technical Information

Linear L2^TMPower

MOSFET w/ Extended

FBSOA

V_DSS= 200V

I_D25= 60A

R_DS(on)≤ 45mΩ

IXTT60N20L2

IXTQ60N20L2

IXTH60N20L2

TO-268 (IXTT)

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

G

S

Tab

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

200

200

V

V

V

V

TO-3P (IXTQ)

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 20

± 30

G

D

S

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

60

A

A

Tab

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

150

TO-247(IXTH)

I_A

T_C= 25°C

T_C= 25°C

60

2

A

J

E_AS

P_D

T_C= 25°C

540

W

T_J

-55 to +150

+150

°C

°C

°C

T_JM

T_stg

G

D

Tab

-55 to +150

S

T_L

1.6mm (0.063in) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

°C

G = Gate

D

= Drain

T_SOLD

S = Source

Tab = Drain

M_d

Mounting Torque (TO-247&TO-3P)

1.13/10

Nm/lb.in.

Weight

TO-268

TO-3P

TO-247

4.0

5.5

6.0

g

g

g

Features

^zDesigned for Linear Operation

^zInternational Standard Packages

^zAvalanche Rated

^zGuaranteed FBSOA at 75°C

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

200

2.5

Typ.

Max.

Advantages

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= ± 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

V

V

z

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

4.5

z

z

±100 nA

μA

I_DSS

5

Applications

T_J= 125°C

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

50 μA

45 mΩ

^zSolid State Circuit Breakers

^zSoft Start Controls

R_DS(on)

^zLinear Amplifiers

^zProgrammable Loads

^zCurrent Regulators

© 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved

DS100203(10/09)

12 3 4 5

下载PDF

与IXTQ60N20L2相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IXTQ60N20T	IXYS	N-Channel Enhancement Mode For PDP Drivers Avalanche Rated	获取价格
IXTQ60N20T	LITTELFUSE	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低	获取价格
IXTQ62N15P	IXYS	PolarHT Power MOSFET	获取价格
IXTQ62N15P	LITTELFUSE	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡	获取价格
IXTQ64N25	IXYS	PolarHT Power MOSFET	获取价格
IXTQ64N25P	IXYS	PolarHT Power MOSFET	获取价格

与IXTQ60N20L2相关文章

您还可以找

热门产品

PCB打样/小批量

BOM智能配单

精选活动

PCBA打样特惠

四六层板品质升级

铝基板品质升级

一体化电子制造

服务支持

关于捷配

帮助中心

全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号

微信公众号

捷配网-微信公众号

抖音公众号

资质认证：

合作快递：

支付方式：

Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司

浙公网安备 33010502006866号浙ICP备10014259号-119 营业执照 ICP证