Datasheet > IXTQ64N25P

IXTQ64N25P

更新时间： 2024-11-19 14:56:55

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		/
页数	文件大小	规格书
6页	239K
描述
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡的器件解决方案。这些器件包含了Polar技术平台，以实现低导通电阻（Rdson）。 Polar标准MOS

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXTQ64N25P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1000 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	250 V	最大漏极电流 (ID)：	64 A
最大漏源导通电阻：	0.049 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	160 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTQ64N25P 数据手册

V_DSS

I_D25

R_DS(on)

= 250 V

= 64

≤ 49 mΩ

PolarHT^TM

Power MOSFET

IXTQ 64N25P

IXTT 64N25P

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-3P (IXTQ)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25° C to 150° C

T_J= 25° C to 150° C; R_GS= 1 MΩ

250

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

I_D25

I_DM

T_C=25° C

(TAB)

T_C= 25° C, pulse width limited by T_JM

160

I_AR

T_C=25° C

E_AR

E_AS

T_C=25° C

TO-268 (IXTT)

1.0

dv/dt

P_D

I_S≤I_DM, di/dt ≤100 A/µs, V_DD≤V_DSS

T_J≤150° C, R_G= 4 Ω

V/ns

D (TAB)

T_C=25° C

400

G = Gate

D = Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

S = Source

TAB = Drain

Features

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 s

300

260

°C

International standard packages

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Low package inductance

- easy to drive and to protect

M_d

Mounting torque

(TO-3P)

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-3P

TO-268

5.5

5.0

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Easy to mount

Space savings

High power density

(T_J= 25° C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 250µA

V_GS= 20 V_DC, V_DS= 0

250

2.5

5.0

100

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

250

µA

T_J= 125° C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

49 mΩ

Pulse test, t ≤300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

DS99120E(12/05)

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与IXTQ64N25P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTQ69N30	IXYS	获取价格	PolarHT Power MOSFET
IXTQ69N30P	IXYS	获取价格	PolarHT Power MOSFET
IXTQ69N30P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTQ69N30PM	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 300V, 0.049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTQ69N30PM	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 300V, 0.049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTQ74N20P	IXYS	获取价格	PolarHTTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTQ74N20P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTQ75N10P	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode
IXTQ75N10P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTQ76N25T	IXYS	获取价格	Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode

与IXTQ64N25P相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

17
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

42
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

37

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTQ64N25P

IXTQ64N25P 技术参数

IXTQ64N25P 数据手册

与IXTQ64N25P相关器件

与IXTQ64N25P相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTQ64N25P

IXTQ64N25P 技术参数

IXTQ64N25P 数据手册

与IXTQ64N25P相关器件

与IXTQ64N25P相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？