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IXTQ52N30P

更新时间： 2024-11-18 03:13:39

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IXYS		晶体晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
5页	577K
描述
PolarHT Power MOSFET

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IXTQ52N30P 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-3P	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	4.3
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1000 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	300 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	52 A
最大漏极电流 (ID)：	52 A	最大漏源导通电阻：	0.066 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	400 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	150 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTQ52N30P 数据手册

Advanced Technical Information

PolarHT^TM

Power MOSFET

IXTQ52N30P

IXTT52N30P

V_DSS

I_D25

= 300 V

= 52 A

R_DS(on)= 66 mΩ

N-Channel Enhancement Mode

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-3P(IXTQ)

V_DSS

V_DGR

= 25°C to 150°C

300

T^J_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

(TAB)

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

150

I_AR

T_C= 25°C

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

TO-268 (IXTT)

1.0

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 4 Ω

V/ns

T_C= 25°C

400

D (TAB)

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

M_d

Mounting torque

(TO-3P)

1.13/10 Nm/lb.in.

Features

Weight

TO-3P

5.5

5.0

International standard packages

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

TO-268

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

Low package inductance

- easy to drive and to protect

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 250µA

V_GS= 20 V_DC, V_DS= 0

300

2.5

5.0

Advantages

100 nA

Easy to mount

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

25 µA

250 µA

Space savings

T_J= 125°C

High power density

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

66 mΩ

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

DS99115A(10/04)

12 3 4 5

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IXTQ52N30P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFH52N30P	IXYS	完全替代	PolarHT Power MOSFET HiPerFET
IXTT52N30P	IXYS	完全替代	PolarHT Power MOSFET
IXTH50N30	IXYS	功能相似	Advance Technical Information High Current Power MOSFET

与IXTQ52N30P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTQ52P10P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTQ60N10T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTQ60N10T	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTQ60N20L2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTQ60N20L2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 200V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTQ60N20T	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode For PDP Drivers Avalanche Rated
IXTQ60N20T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXTQ62N15P	IXYS	获取价格	PolarHT Power MOSFET
IXTQ62N15P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTQ64N25	IXYS	获取价格	PolarHT Power MOSFET

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