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IXTH52P10P

更新时间： 2024-11-05 20:05:15

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	185K
描述
Power Field-Effect Transistor, 52A I(D), 100V, 0.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, PLASTIC PACKAGE-3

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IXTH52P10P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-247
包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	8.56	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	52 A	最大漏极电流 (ID)：	52 A
最大漏源导通电阻：	0.05 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	300 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	130 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTH52P10P 数据手册

PolarP^TM

Power MOSFET

P-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

IXTA52P10P

IXTH52P10P

IXTP52P10P

IXTQ52P10P

TO-247 (IXTH)

V_DSS= - 100V

I_D25= - 52A

R_DS(on)

≤

50mΩ

TO-220 (IXTP)

TO-263 (IXTA)

D (TAB)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-3P (IXTQ)

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

-100

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

D (TAB)

= Drain

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

- 52

-130

G = Gate

S = Source

I_AR

T_C= 25°C

- 52

1.5

TAB = Drain

E_AS

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

Features:

300

^zInternational standard packages

^zFast intrinsic diode

^zDynamic dV/dt Rated

^zAvalanche Rated

^zRugged PolarP^TMprocess

^zLow Q_Gand R_ds(on)characterization

^zLow Drain-to-Tab capacitance

^zLow package inductance

- easy to drive and to protect

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from case for 10s

Plastic body for 10s

300

260

°C

M_d

Mounting torque

(TO-3P,TO-220,TO-247)

1.13/10

Nm/lb.in.

Weight

TO-247

TO-3P

TO-220

TO-263

6.0

5.5

3.0

2.5

Applications:

Hight side switching

Push-pull amplifiers

DC Choppers

Current regulators

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Min. Typ. Max.

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Automatic test equipment

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= - 250μA

V_DS= V_GS, I_D= - 250μA

V_GS= ± 20V, V_DS= 0V

-100

- 2.5

Advantages:

- 4.5

Low gate charge results in simple

±100 nA

drive requirement

Improved Gate, Avalanche and

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

-10 μA

-150 μA

dynamic dV/dt ruggedness

High power density

Fast switching

Easy to parallel

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= -10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

50 mΩ

DS99912A(5/08)

12 3 4 5 6

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