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IXTH48P20P

更新时间： 2024-11-20 21:11:27

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	133K
描述
Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, PLASTIC PACKAGE-3

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IXTH48P20P 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-247AD	包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	8.52
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	2500 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	48 A
最大漏极电流 (ID)：	48 A	最大漏源导通电阻：	0.085 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	462 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	144 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTH48P20P 数据手册

Preliminary Technical Information

PolarP^TM

Power MOSFET

V_DSS= - 200V

I_D25= - 48A

IXTH48P20P

IXTT48P20P

R_DS(on)

≤

85mΩ

P-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-247 (IXTH)

(TAB)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

- 200

V_DGR

TO-268 (IXTT)

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

- 48

-144

I_AR

T_C= 25°C

- 48

2.5

(TAB)

E_AS

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

462

Features:

T_J

T_JM

T_stg

- 55 ... +150

150

- 55 ... +150

°C

^zInternational standard packages

^zAvalanche Rated

^zRugged PolarP^TMprocess

^zLow package inductance

- easy to drive and to protect

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from case for 10s

Plastic body for 10s

300

260

°C

M_d

Mounting torque (TO-247, TO-3P)

Mounting force (PLUS220)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

N/lb.

F_C

11..65 / 2.5..14.6

Applications:

Weight

TO-247

TO-268

High side switching

Push-pull amplifiers

DC Choppers

Current regulators

Automatic test equipment

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Min. Typ. Max.

Advantages:

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= - 250 μA

V_DS= V_GS, I_D= - 250μA

V_GS= ±20V, V_DS= 0V

- 200

- 2.5

Low gate charge results in simple

drive requirement

High power density

Fast switching

- 4.5

±100 nA

Easy to parallel

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

- 25 μA

- 200 μA

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= -10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

85 mΩ

DS99981(6/08)

12 3 4 5

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IXTH48P20P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTT48P20P	IXYS	完全替代	Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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