Datasheet > IXTH50N25T

IXTH50N25T

更新时间： 2024-11-19 14:56:35

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		栅
页数	文件大小	规格书
7页	295K
描述
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXTH50N25T 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.75
Base Number Matches：	1

IXTH50N25T 数据手册

IXTA50N25T IXTQ50N25T

IXTP50N25T IXTH50N25T

Trench Gate

Power MOSFET

V_DSS= 250V

I_D25= 50A

R_DS(on)≤ 60mΩ

N-Channel Enhancement Mode

TO-263 AA (IXTA)

TO-220AB (IXTP)

TO-3P (IXTQ)

D (Tab)

TO-247 (IXTH)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

250

V_GSM

Transient

± 30

D (Tab)

= Drain

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

130

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

G = Gate

I_A

E_AS

T_C= 25°C

S = Source

Tab = Drain

1.5

P_D

T_C= 25°C

400

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

Features

^zAvalanche Rated

^zHigh Current Handling Capability

^zFast Intrinsic Rectifier

Low R_DS(on)

T_L

1.6mm (0.062in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10 s

300

260

°C

M_d

F_C

Mounting Torque (TO-220, TO-3P &TO-247)

Mounting Force (TO-263)

1.13 / 10

10..65 / 2.2..14.6

Nmlb.in.

N/lb.

Weight

TO-263

TO-220

TO-3P

2.5

3.0

5.5

6.0

Advantages

^zHigh Power Density

^zEasy to Mount

^zSpace Savings

TO-247

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Min. Typ . Max.

Applications

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

^zDC-DC Coverters

^zBattery Chargers

BV_DSS

V_GS(th)

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 1mA

250

3.0

^zSwitch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

5.0

I_GSS

I_DSS

V_GS= ± 20V, V_DS= 0V

± 100 nA

μA

^zDC Choppers

^zAC and DC Motor Drives

^zUninterrupted Power Supplies

^zHigh Speed Power Switching

Applications

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

T_J= 125°C

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

150 μA

60 mΩ

R_DS(on)

DS99346B(01/10)

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

与IXTH50N25T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTH50N30	IXYS	获取价格	Advance Technical Information High Current Power MOSFET
IXTH50N30L2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTH50P085	IXYS	获取价格	Standard Power MOSFET
IXTH50P10	IXYS	获取价格	Standard Power MOSFET
IXTH50P10	LITTELFUSE	获取价格	P通道标准功率MOSFET的额定电压范围为-100V至-600V，并采用业内流行的TO-2
IXTH52N65X	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTH52N65X	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTH52P10P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 52A I(D), 100V, 0.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IXTH52P10P	LITTELFUSE	获取价格	Polar? P通道MOSFET采用我们的Polar技术平台制造，相比传统产品将通态电阻(
IXTH58N25L2	LITTELFUSE	获取价格	这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正

与IXTH50N25T相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

17
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

42
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

36

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTH50N25T

IXTH50N25T 技术参数

IXTH50N25T 数据手册

与IXTH50N25T相关器件

与IXTH50N25T相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTH50N25T

IXTH50N25T 技术参数

IXTH50N25T 数据手册

与IXTH50N25T相关器件

与IXTH50N25T相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？