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力特 - LITTELFUSE | 栅 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
7页 | 295K | |
描述 | ||
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围(从-40 °C到175 °C),这些产品非常适合汽车应用以及其他处 |
生命周期: | Active | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.75 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTH50N30 | IXYS |
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Advance Technical Information High Current Power MOSFET | |
IXTH50N30L2 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXTH50P085 | IXYS |
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Standard Power MOSFET | |
IXTH50P10 | IXYS |
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Standard Power MOSFET | |
IXTH50P10 | LITTELFUSE |
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P通道标准功率MOSFET的额定电压范围为-100V至-600V,并采用业内流行的TO-2 | |
IXTH52N65X | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXTH52N65X | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXTH52P10P | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 52A I(D), 100V, 0.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met | |
IXTH52P10P | LITTELFUSE |
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Polar? P通道MOSFET采用我们的Polar技术平台制造,相比传统产品将通态电阻( | |
IXTH58N25L2 | LITTELFUSE |
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这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用,具有低热阻、高功率密度和正 |