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IXTH48N20 PDF预览

IXTH48N20

更新时间： 2024-02-14 22:56:46
品牌 Logo 应用领域
IXYS 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 99K
描述
Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 200V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, TO-247AD, 3 PIN

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IXTH48N20 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Not Recommended
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.72雪崩能效等级（Eas）：1000 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏极电流 (ID)：48 A
最大漏源导通电阻：0.05 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-247ADJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：192 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IXTH48N20 数据手册

 浏览型号IXTH48N20的Datasheet PDF文件第2页 
Advance Technical Information  
VDSS = 200 V  
ID(cont) = 48 A  
RDS(on) = 50 mΩ  
Standard  
IXTH 48N20  
Power MOSFET  
N-Channel Enhancement Mode  
Symbol TestConditions  
Maximum Ratings  
TO-247 AD  
VDSS  
VDGR  
TJ  
TJ  
= 25°C to 150°C  
= 25°C to 150°C; RGS = 1 MΩ  
200  
200  
V
V
VGS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
D (TAB)  
ID25  
IDM  
IAR  
TC  
TC  
= 25°C  
48  
192  
48  
A
A
A
= 25°C, pulse width limited by TJM  
G = Gate,  
D = Drain,  
EAR  
TC  
= 25°C  
= 25°C  
30  
mJ  
S = Source,  
TAB = Drain  
EAS  
TC  
1.0  
J
dv/dt  
IS  
≤ IDM, di/dt ≤ 100 A/µs, VDD ≤ VDSS  
≤ 150°C, RG = 2 Ω  
,
5
V/ns  
TJ  
PD  
TC  
= 25°C  
275  
W
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
150  
-55 ... +150  
°C  
°C  
°C  
Features  
z
International standard package  
JEDEC TO-247 AD  
RuggeDdS (pono) lysilicon gate cell structure  
High commutating dv/dt rating  
Fast switching times  
Md  
Mounting torque  
1.13/10 Nm/lb.in.  
Low R  
HDMOSTM process  
Weight  
6
g
z
z
z
z
Maximum lead temperature for soldering  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
300  
°C  
Applications  
Symbol TestConditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
z
Switch-mode and resonant-mode  
min. typ. max.  
power supplies  
z
Motor controls  
VDSS  
VGS = 0 V, ID = 250 µA  
VDS = VGS, ID = 250 µA  
200  
2.0  
V
V
z
Uninterruptible Power Supplies (UPS)  
z
VGS(th)  
4.0  
DC choppers  
IGSS  
IDSS  
VGS = ±20 VDC, VDS = 0  
±100 nA  
Advantages  
VDS = V  
25 µA  
VGS = 0DVSS  
TJ = 125°C  
250 µA  
z
Easy to mount with 1 screw  
(isolated mounting screw hole)  
RDS(on)  
V
= 10 V, ID = 15 A  
50 mΩ  
z
z
PGuSlse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %  
Space savings  
High power density  
DS99021A(04/03)  
© 2003 IXYS All rights reserved  
12

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IXTH48N20 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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