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IXTQ48N20T PDF预览

IXTQ48N20T

更新时间： 2024-11-05 20:50:55
品牌 Logo 应用领域
IXYS /
页数 文件大小 规格书
5页 185K
描述
Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 200V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, TO-3P, 3 PIN

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IXTQ48N20T 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-3P
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.75其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：500 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：48 A最大漏极电流 (ID)：48 A
最大漏源导通电阻：0.05 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：250 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：130 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Pure Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IXTQ48N20T 数据手册

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TrenchTM  
Power MOSFET  
IXTA48N20T  
IXTP48N20T  
IXTQ48N20T  
VDSS  
ID25  
= 200V  
= 48A  
RDS(on) ≤ 50mΩ  
TO-263 AA (IXTA)  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
Fast Intrinsic Rectifier  
G
S
D (Tab)  
TO-220AB (IXTP)  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
VDSS  
VDGR  
TJ = 25°C to 175°C  
TJ = 25°C to 175°C, RGS = 1MΩ  
200  
200  
V
V
VGSM  
Transient  
± 30  
V
G
ID25  
IDM  
TC = 25°C  
TC = 25°C, Pulse Width Limited by TJM  
48  
130  
A
A
D
D (Tab)  
S
TO-3P (IXTQ)  
IA  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
5
A
500  
mJ  
dv/dt  
PD  
IS ≤ IDM, VDD ≤ VDSS, TJ ≤ 175°C  
TC = 25°C  
3
V/ns  
W
G
D
250  
S
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
-55 ... +175  
°C  
°C  
°C  
D (Tab)  
= Drain  
G = Gate  
D
S = Source  
Tab = Drain  
TL  
TSOLD  
1.6mm (0.062in.) from Case for 10s  
Plastic Body for 10 seconds  
300  
260  
°C  
°C  
Features  
FC  
Mounting Force (TO-263)  
Mounting Torque (TO-220 & TO-3P)  
10..65/2.2..14.6  
1.13/10  
Nm/lb.in  
Nm/lb.in  
Md  
z High Current Handling Capability  
z Avalanche Rated  
Weight  
TO-263  
TO-220  
TO-3P  
2.5  
3.0  
5.5  
g
g
g
z Fast Intrinsic Rectifier  
z
Low RDS(on)  
Advantages  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
z
(TJ = 25°C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
200  
2.5  
Typ.  
Max.  
Easy to Mount  
Space Savings  
High Power Density  
z
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 250μA  
VDS = VGS, ID = 250μA  
VGS = ± 20V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
V
V
z
4.5  
Applications  
± 100 nA  
μA  
IDSS  
5
z DC-DC Converters  
z Battery Chargers  
TJ = 150°C  
250 μA  
z Switch-Mode and Resonant-Mode  
Power Supplies  
RDS(on)  
VGS = 10V, ID = 0.5 • ID25, Note 1  
40  
50 mΩ  
z DC Choppers  
z AC Motor Drives  
z Uninterruptible Power Supplies  
z High Speed Power Switching  
Applications  
DS99948A(02/10)  
© 2010 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
12345

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IXTQ48N20T 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IXTA48N20T IXYS

类似代替

 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier
IXTH48N20 IXYS

功能相似

 Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 200V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTP48N20T IXYS

功能相似

 TrenchHVTM Power MOSFET

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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