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IXTQ50N20P

更新时间： 2024-11-06 14:56:51

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力特 - LITTELFUSE		/
页数	文件大小	规格书
6页	186K
描述
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡的器件解决方案。这些器件包含了Polar技术平台，以实现低导通电阻（Rdson）。 Polar标准MOS

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IXTQ50N20P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.75	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1000 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	50 A	最大漏极电流 (ID)：	50 A
最大漏源导通电阻：	0.06 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	360 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	120 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTQ50N20P 数据手册

PolarHT^TM

Power MOSFET

V_DSS= 200V

I_D25= 50A

R_DS(on)≤ 60mΩ

IXTA50N20P

IXTP50N20P

IXTQ50N20P

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-263 (IXTA)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 175°C

T_J= 25°C to 175°C, R_GS= 1MΩ

200

V_DGR

(TAB)

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

TO-220 (IXTP)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

120

I_A

T_C= 25°C

(TAB)

E_AS

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 175°C

T_C= 25°C

V/ns

360

TO-3P (IXTQ)

T_J

T_JM

T_stg

- 55 ... +175

175

- 55 ... +175

°C

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from case for 10s

Plastic body for 10s

300

260

°C

M_d

Mounting torque

(TO-3P,TO-220)

1.13/10

Nm/lb.in.

(TAB)

Weight

TO-263

TO-220

TO-3P

2.5

3.0

5.5

G = Gate

= Drain

S = Source

TAB = Drain

Features

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Min. Typ. Max.

• International standard packages

• Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

• Low package inductance

- easy to drive and to protect

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= ±20V, V_DS= 0V

200

2.5

5.0

±100 nA

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

25 μA

250 μA

Advantages

T_J= 150°C

• Easy to mount

• Space savings

• High power density

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

60 mΩ

DS99156F(07/08)

12 3 4 5 6

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