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IXTH48N15

更新时间： 2024-09-27 19:47:23

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	118K
描述
Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 150V, 0.032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, TO-247AD, 3 PIN

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IXTH48N15 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	TO-247AD, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.72	雪崩能效等级（Eas）：	1000 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	150 V	最大漏极电流 (ID)：	48 A
最大漏源导通电阻：	0.032 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	192 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTH48N15 数据手册

Advance Technical Information

IXTH 48N15

IXTT 48N15

V_DSS

I_D25

= 150 V

= 48 A

High Current

Power MOSFET

R_DS(on)= 32 mΩ

N-Channel Enhancement Mode

TO-247 AD (IXTH)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

150

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

(TAB)

V_GSM

I_D25

T_C= 25°C

I_DM

I_AR

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

192

TO-268 (IXTT) Case Style

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

1.0

(TAB)

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

P_D

T_C= 25°C

180

T_J

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

T_JM

T_stg

Features

●

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Mounting torque

300

°C

International standard packages

Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

Rugged polysilicon gate cell structure

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

●

M_d

Weight

1.13/10 Nm/lb.in.

TO-247AD

TO-268

●

Low package inductance

- easy to drive and to protect

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

●

Easy to mount

Space savings

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 250µA

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

V_DS= V_DSS

150

●

2.0

4.0

High power density

±100

I_DSS

T_J= 25°C

T_J= 125°C

µA

_GS= 0 V

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

250

µA

R_DS(on)

32 mΩ

98926-A (10/02)

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