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IXTH450P2

更新时间： 2024-11-18 12:27:43

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5页	144K
描述
Polar2TM Power MOSFETs N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

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IXTH450P2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-247
包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	4.54
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	750 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	16 A
最大漏极电流 (ID)：	16 A	最大漏源导通电阻：	0.33 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	35 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

IXTH450P2 数据手册

Polar2^TM

Power MOSFETs

V_DSS= 500V

I_D25= 16A

R_DS(on)≤ 330mΩ

t_rr(typ)= 400ns

IXTP450P2

IXTQ450P2

IXTH450P2

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-220AB (IXTP)

Fast Intrinsic Diode

Tab

TO-3P (IXTQ)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

500

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 30

± 40

Tab

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

TO-247(IXTH)

I_A

E_AS

T_C= 25°C

750

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

300

Tab

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

G = Gate

S = Source

= Drain

Tab = Drain

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

Plastic Body for 10s

300

260

°C

Features

M_d

Mounting Torque

1.13/10

Nm/lb.in.

Avalanche Rated

Weight

TO-220

TO-3P

TO-247

3.0

5.5

6.0

Fast Intrinsic Diode

Dynamic dv/dt Rated

Low Package Inductance

Advantages

High Power Density

Easy to Mount

Space Savings

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

500

2.5

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= ± 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

4.5

Applications

± 100 nA

μA

Switch-Mode and Resonant-Mode

I_DSS

Power Supplies

DC-DC Converters

Laser Drivers

AC and DC Motor Drives

T_J= 125°C

25 μA

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

330 mΩ

Robotics and Servo Controls

DS100241A(10/11)

12 3 4 5

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IXTH450P2 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTP450P2	IXYS	功能相似	Polar2TM Power MOSFETs N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

与IXTH450P2相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTH460P2	IXYS	获取价格	PolarP2â¢ Power MOSFET
IXTH460P2	LITTELFUSE	获取价格	Polar2?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计师提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTH48N15	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 150V, 0.032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTH48N20	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 200V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTH48N20	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 200V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTH48N60X2A	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTH48N65X2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTH48N65X2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTH48P20P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTH48P20P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me

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